[发明专利]半导体工艺腔室

权利要求书

1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括腔体、基座、升降轴以及沿高度方向相对设置的第一磁性组件和第二磁性组件；

所述基座、所述第一磁性组件和所述第二磁性组件设置在所述腔体中，所述腔体的底壁上形成有避让通孔，所述升降轴的顶端固定连接在所述基座的底部，所述升降轴的底端通过所述避让通孔穿出至所述腔体外部，所述第一磁性组件固定设置在所述基座的底部，所述第二磁性组件固定设置在所述腔体的底壁上；

所述第二磁性组件用于选择性地与所述第一磁性组件相互作用以产生排斥磁力或吸引磁力；

所述第一磁性组件用于在所述排斥磁力作用下带动所述基座上升，在所述吸引磁力的作用下带动所述基座下降。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第二磁性组件还用于选择性地停止与所述第一磁性组件相互作用，以使所述第一磁性组件和所述基座在自身重力作用下下降。

3.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一磁性组件包括磁性部和屏蔽罩，所述磁性部和所述屏蔽罩同轴且环绕所述升降轴设置，所述屏蔽罩固定于所述基座面向所述腔体的底壁的一面，且所述屏蔽罩背离所述基座的一面具有凹槽，所述磁性部设置于所述凹槽内。

4.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺腔室还包括顶针组件，所述顶针组件包括驱动组件和多个顶针，所述基座上形成有与多个所述顶针位置一一对应的多个顶针孔，所述磁性部和所述屏蔽罩上均形成有与多个所述顶针孔位置一一对应的多个顶针避让孔，所述驱动组件用于驱动多个所述顶针上升并依次穿过对应的所述顶针避让孔以及所述顶针孔从而穿出至所述基座的承载面上方，或者，驱动多个所述顶针下降并通过对应的所述顶针孔以及所述顶针避让孔缩回至所述基座的承载面下方。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第二磁性组件包括电磁铁线圈和保护壳体，所述电磁铁线圈环绕所述升降轴设置在所述保护壳体中，所述保护壳体与所述腔体的底壁固定连接，用于将所述电磁铁线圈与腔体环境隔绝。

6.根据权利要求5所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述保护壳体包括顶盖、底板、内筒和外筒，所述外筒的直径大于所述内筒的直径，且所述内筒、所述电磁铁线圈和所述外筒同心套设在所述升降轴上；所述顶盖环绕所述升降轴并固定设置在所述内筒和所述外筒的顶端，所述底板环绕所述升降轴并固定设置在所述内筒和所述外筒的底端，以将所述电磁铁线圈密封在所述顶盖、所述底板、所述内筒和所述外筒限定的环形空间内。

7.根据权利要求6所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺腔室还包括波纹管、上端法兰和下端法兰，所述波纹管、所述上端法兰和所述下端法兰均套设在所述升降轴上，所述波纹管的顶端与所述上端法兰连接，所述波纹管的底端与所述下端法兰连接，所述上端法兰与所述升降轴的外周面密封固定连接，所述下端法兰与所述腔体的底壁密封固定连接，所述上端法兰的外径大于所述内筒的内径。

8.根据权利要求7所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺腔室还包括信号转接盒与固定组件，所述固定组件固定设置在所述升降轴的外侧壁上，所述信号转接盒通过所述固定组件与所述升降轴固定连接，且所述信号转接盒与所述升降轴底端伸出的线缆连接，以向所述基座提供电信号。

9.根据权利要求8所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺腔室还包括直线轴承和轴承固定块，所述轴承固定块用于将所述直线轴承固定在所述腔体的底壁下方，所述直线轴承套设在所述升降轴上，以使所述升降轴能够在所述直线轴承中沿竖直方向上升或下降，所述直线轴承的底端具有第一接触面，所述固定组件的顶部具有与所述第一接触面相对的第二接触面，且所述第二接触面能够在所述升降轴上升后与所述第一接触面接触，以使所述升降轴停止上升。

10.根据权利要求8所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述固定组件包括一对固定抱块，每个所述固定抱块均具有与所述升降轴的外侧壁对应的配合面，两个所述固定抱块由所述升降轴轴线的两侧对接并固定连接，以使两个所述配合面拼接形成环绕所述升降轴的配合柱面；所述升降轴的外侧壁上形成有环绕所述升降轴轴线的环形凹槽，所述配合柱面上形成有与所述环形凹槽形状对应的环形凸起，所述环形凸起位于所述环形凹槽中，以将所述固定组件固定在所述升降轴的外侧壁上。