[发明专利]涂层结构的制备方法有效
| 申请号： | 202210742396.1 | 申请日： | 2022-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN115044873B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 李立升;梁小彪;董子豪;林海天 | 申请（专利权）人： | 广东华升纳米科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/06;C23C14/02 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郑小粤 |
| 地址： | 523835 广东省东莞市大岭*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 涂层 结构 制备 方法 | ||
1.一种涂层结构的制备方法，其特征在于，包括：
开启电弧靶材，设置基体偏压为U0min～U0max，设置弧电流值为A0min～A0max，对所述电弧靶材进行轰击，以在基体上沉积第一层涂层；
在所述第一层涂层上沉积至少一层涂层；
其中，所述在所述第一层涂层上沉积至少一层涂层包括：
开启电弧靶材，设置基体偏压为Unmin～Unmax，设置弧电流值为Anmin～Anmax，对所述电弧靶材进行轰击，以在第n层涂层上沉积第n+1层涂层；
n为正整数；
Unmin≤U0max且Unmax≥U0max和/或Un+1min≤Unmax且Un+1max≥Unmax；
Anmin≤A0max且Anmax≥A0max和/或An+1min≤Anmax且An+1max≥Anmax。
2.根据权利要求1所述的涂层结构的制备方法，其特征在于，所述涂层为CrAlN涂层，利用电弧离子镀技术在所述基体上沉积四层CrAlN涂层。
3.根据权利要求2所述的涂层结构的制备方法，其特征在于，在所述基体上沉积第一层CrAlN涂层的条件具体为：
开启电弧CrAl靶材，基体偏压为30V～80V，弧电源频率为300Hz～1000Hz，占空比为10％～50％，弧电流值为400A～800A。
4.根据权利要求3所述的涂层结构的制备方法，其特征在于，在所述第一层CrAlN涂层上沉积第二层CrAlN涂层的条件具体为：
开启电弧CrAl靶材，基体偏压为60V～100V，弧电源频率为300Hz～1000Hz，占空比为10％～50％，弧电流值为600A～1000A。
5.根据权利要求4所述的涂层结构的制备方法，其特征在于，在所述第二层CrAlN涂层上沉积第三层CrAlN涂层的条件具体为：
开启电弧CrAl靶材，基体偏压为80V～120V，弧电源频率为300Hz～1000Hz，占空比为10％～50％，弧电流值为800A～1200A。
6.根据权利要求5所述的涂层结构的制备方法，其特征在于，在所述第三层CrAlN涂层上沉积第四层CrAlN涂层的条件具体为：
开启电弧CrAl靶材，基体偏压为100V～200V，弧电源频率为300Hz～1000Hz，占空比为10％～50％，弧电流值为800A～1200A。
7.根据权利要求2所述的涂层结构的制备方法，其特征在于，第一层CrAlN涂层的厚度为0.1～1.0μm；
第二层CrAlN涂层的厚度为0.4～2.0μm；
第三层CrAlN涂层的厚度为0.4～2.0μm；
第四层CrAlN涂层的厚度为0.1～1.0μm。
8.根据权利要求1所述的涂层结构的制备方法，其特征在于，所述开启电弧靶材，设置基体偏压为U0min～U0max，设置弧电流值为A0min～A0max，对所述电弧靶材进行轰击，以在基体上沉积第一层涂层之前，所述制备方法还包括：刻蚀所述基体，所述刻蚀所述基体的条件具体为：
对所述基体进行离子刻蚀，基体偏压为100V～350V，通入氩气的流速为100sccm～300sccm，通入氢气的流速为100sccm～150sccm。
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