[发明专利]可变电阻存储器件

权利要求书

1.一种可变电阻存储器件，包括：

堆叠，包括绝缘片和导电片，所述绝缘片和所述导电片交替地堆叠在衬底上，所述堆叠包括竖直穿透其中的竖直孔；

位线，在所述堆叠上；

导电图案，电连接到所述位线，并且在所述竖直孔中竖直延伸；以及

电阻变化层，在所述导电图案和限定所述竖直孔的所述堆叠的内侧表面之间，

其中，所述电阻变化层包括电连接到所述导电片的第一碳纳米管以及电连接到所述导电图案的第二碳纳米管。

2.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述第一碳纳米管和所述第二碳纳米管中的每一个包括单壁碳纳米管SWCNT和双壁碳纳米管DWCNT中的一种。

3.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述电阻变化层具有随着到所述衬底的距离减小而增加的厚度。

4.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述第一碳纳米管和所述第二碳纳米管被配置为根据施加到所述位线的电压而彼此接触或彼此分离。

5.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，

所述电阻变化层还包括在所述绝缘片的侧表面上的第三碳纳米管，并且

所述第三碳纳米管与所述导电片和所述导电图案电断开。

6.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述电阻变化层包括朝向所述绝缘片的侧表面突出的突出部分。

7.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述电阻变化层的顶表面在与所述导电图案的顶表面相同的竖直高度处。

8.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述绝缘片包括六方氮化硼h-BN。

9.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述导电片包括石墨烯。

10.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述绝缘片中的最上面的绝缘片的顶表面的表面粗糙度高于所述最上面的绝缘片的底表面的表面粗糙度。

11.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述绝缘片中的最下面的绝缘片的顶表面的表面粗糙度低于所述最下面的绝缘片的底表面的表面粗糙度。

12.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，还包括：

将所述导电图案的底端连接到所述衬底的下半导体图案。

13.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，还包括：

埋入所述导电图案中并且竖直延伸的填隙绝缘图案，

其中，所述填隙绝缘图案具有随着到所述衬底的距离减小而减小的宽度。

14.一种可变电阻存储器件，包括：

堆叠，在衬底上并且在第一方向上延伸，所述堆叠包括交替地堆叠的绝缘片和导电片，所述堆叠包括竖直穿透其中的竖直孔；

导电图案，在所述竖直孔中并且竖直延伸；以及

电阻变化层，在所述导电图案和限定所述竖直孔的所述堆叠的内侧表面之间并且竖直延伸，

其中，所述电阻变化层包括电连接到所述导电片和所述导电图案中的至少一个的碳纳米管，并且

所述电阻变化层在所述第一方向上的厚度随着到所述衬底的距离减小而增加。

15.根据权利要求14所述的可变电阻存储器件，其中，所述碳纳米管包括电连接到所述导电片中的对应的导电片的第一碳纳米管和电连接到所述导电图案的第二碳纳米管。

16.根据权利要求14所述的可变电阻存储器件，其中，

所述碳纳米管包括在所述绝缘片的侧表面上的第三碳纳米管，并且

所述第三碳纳米管与所述导电片和所述导电图案电断开。