[发明专利]用于制造具有改进性能的声学装置的方法

说明书

本公开涉及用于制造具有改进性能的声学装置的方法。一种用于制造声学装置的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上方提供底部电极；在所述底部电极上提供牺牲层；对所述底部电极和所述牺牲层进行图案化；对所述牺牲层进行抛光，使得所述牺牲层的一部分保留在所述底部电极上；以及经由清洁工艺去除所述牺牲层的保留部分，使得保持所述底部电极的表面粗糙度。通过进行所述抛光，使得所述牺牲层的一部分保留在所述底部电极上并且随后经由保持所述底部电极的所述表面粗糙度的清洁工艺去除所述牺牲层的所述部分，能够显著改善所述底部电极上的压电层的后续生长。

技术领域

本公开涉及声学装置，并且具体地说，涉及具有改进性能的声学装置及其制造方法。

背景技术

声学装置包括与一个或多个电极电接触的压电层。声学装置的性能在很大程度上取决于压电层的特性。这些特性可以包括压电层的结晶结构的取向。沉积具有特定结晶取向的压电层会带来巨大的技术挑战。使用常规工艺，通常难以提供具有期望结晶取向的压电层。因此，需要具有精确限定结晶取向的压电层的声学装置及其制造方法。

发明内容

在一个实施方案中，一种用于制造声学装置的方法包括：提供衬底；在所述衬底上方提供底部电极；在所述底部电极上提供牺牲层；对所述底部电极和所述牺牲层进行图案化；对所述牺牲层进行抛光，使得所述牺牲层的一部分保留在所述底部电极上；以及经由清洁工艺去除所述牺牲层的保留部分，使得保持所述底部电极的表面粗糙度。通过进行所述抛光，使得所述牺牲层的一部分保留在所述底部电极上并且随后经由保持所述底部电极的所述表面粗糙度的清洁工艺去除所述牺牲层的所述部分，能够显著改善所述底部电极上的压电层的后续生长。

在一个实施方案中，声学装置包括衬底、底部电极、种子层、压电层和顶部电极。底部电极包括顶表面，所述顶表面具有介于0.3nm平均粗糙度(Ra)与2nm Ra之间的粗糙度。种子层在底部电极的顶表面上。压电层在种子层上。顶部电极在压电层上。通过提供具有带有介于0.3nm Ra与2nm Ra之间的粗糙度的顶表面的底部电极，种子层和压电层可以具有一个或多个期望特性，诸如以其他方式无法实现的期望的c轴线倾斜。因此，可以改进声学装置的性能。

在另一方面，可以单独地或一起地组合前述方面中的任一者，和/或如本文中所述的各种单独方面和特征，以获得附加优点。除非本文相反指示，否则本文公开的各种特征和元件中的任一者可以与一个或多个其他公开的特征和元件组合。

本领域技术人员在阅读以下对于优选实施方案的具体说明以及相关的附图后，将会认识到本发明的范围并且了解其另外的方面。

附图说明

并入本说明书中并形成本说明书的一部分的附图示出了本公开的几个方面，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

图1是示出根据本公开的一个实施方案的用于制造声学装置的方法的流程图。

图2A至图2M示出根据本公开的一个实施方案的用于制造声学装置的方法。

具体实施方式

下文阐述的实施方案表示使本领域技术人员能够实践实施方案并说明实践实施方案的最佳模式所必需的信息。在根据附图阅读以下描述时，本领域技术人员将理解本公开的概念，并将认识到这些概念在此未特别述及的应用。应理解，这些概念和应用落入本公开和所附权利要求的范围内。

应理解，尽管术语第一、第二等在本文中可以用于描述各种元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。如本文所用，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目的任何和所有组合。