[发明专利]硅槽刻蚀中均匀性的改善方法在审
申请号: | 202210746037.3 | 申请日: | 2022-06-28 |
公开(公告)号: | CN115172153A | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 张振兴;周真 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;C09K13/00 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 刘昌荣 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刻蚀 均匀 改善 方法 | ||
本发明提供一种硅槽刻蚀中均匀性的改善方法,提供刻蚀机台,刻蚀机台的刻蚀腔中设有衬底;在刻蚀腔中通入均不含碳元素的刻蚀气体和保护气体,之后刻蚀衬底,在衬底上形成凹槽。本发明采用不含碳元素的刻蚀气体,同时采用不含碳元素的侧壁保护气体,改善刻蚀腔中的刻蚀环境,不会因为聚合物的积累而影响刻蚀的均匀性。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种硅槽刻蚀中均匀性的改善方法。
背景技术
在电源产品中,硅槽刻蚀作为填充栅极前的重要步骤,对沟槽的形貌、深度的垂直度、均匀性都有严格要求。而不同关键尺寸(CD)的大小硅槽因为刻蚀负载效应,使得刻蚀的垂直度,均匀性的难度更大。
在现有技术中,刻蚀气体常采用HBr、CF4、CL2、O2的气体组合来刻蚀硅槽,但由于负载效应,刻蚀的均匀性较差。
为解决上述问题,需要一种硅槽刻蚀中均匀性的改善方法。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种硅槽刻蚀中均匀性的改善方法,用于解决现有技术中不同关键尺寸的大小硅槽因为刻蚀负载效应,使得刻蚀的垂直度、均匀性较差的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种硅槽刻蚀中均匀性的改善方法,包括:
步骤一、提供刻蚀机台,所述刻蚀机台的刻蚀腔中设有衬底;
步骤二、在所述刻蚀腔中通入均不含碳元素的刻蚀气体和保护气体,之后刻蚀所述衬底,在所述衬底上形成凹槽。
优选地,步骤一中的所述衬底为硅衬底。
优选地,步骤二中的所述刻蚀气体包括SF6和CL2。
优选地,步骤二中的所述保护气体包括N2和O2。
优选地,步骤二中以0至20SCCM的气体流量在所述刻蚀腔通入SF6气体。
优选地,步骤二中以10至30SCCM的气体流量在所述刻蚀腔通入CL2气体。
优选地,步骤二中以10至30SCCM的气体流量在所述刻蚀腔通入N2气体。
优选地,步骤二中以20至40SCCM的气体流量在所述刻蚀腔通入O2气体。
如上所述,本发明的硅槽刻蚀中均匀性的改善方法,具有以下有益效果:
本发明采用不含碳元素的刻蚀气体,同时采用不含碳元素的侧壁保护气体,改善刻蚀腔中的刻蚀环境,不会因为聚合物的积累而影响刻蚀的均匀性。
附图说明
图1显示为本发明的工艺流程示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1,本发明提供一种硅槽刻蚀中均匀性的改善方法,包括:
步骤一,提供刻蚀机台,所述刻蚀机台的刻蚀腔中设有衬底;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造