[发明专利]一种正面超级结背面IGBT的工艺方法

权利要求书

1.一种正面超级结背面IGBT的工艺方法，其特征在于，至少包括：

步骤一、提供基底，在所述基底正面依次形成第一外延层以及位于所述第一外延层上的第二外延层；

步骤二、形成穿透所述第一、第二外延层至所述基底中的多个深沟槽；并在所述深沟槽中填充P型外延材料，形成P柱；

步骤三、所述第二外延层表面形成有N型埋层；在所述N型埋层以及所述P柱上表面形成第三外延层；之后在所述第三外延层中的每个所述P柱上方两侧形成沟槽；之后在每个所述沟槽之间形成体区；

步骤四、形成ILD层覆盖所述沟槽、体区以及第三外延层；之后在所述第三外延层上形成金属钝化层；

步骤五、对所述基底进行背面减薄，并且减薄至去除所述P柱厚度为1至5微米；

步骤六、在所述基底背面形成一层场截止注入层；之后在所述基底背面的所述P柱端形成硼注入层；

步骤七、在所述基底背面形成一层金属电极。

2.根据权利要求1所述的正面超级结背面IGBT的工艺方法，其特征在于：步骤一中的所述第一、第二外延层为N型外延层，所述第一外延层的电阻率低于所述第二外延层的电阻率。

3.根据权利要求2所述的正面超级结背面IGBT的工艺方法，其特征在于：步骤一中所述第一外延层的体浓度为E15～E18。

4.根据权利要求1所述的正面超级结背面IGBT的工艺方法，其特征在于：步骤三中每个所述体区两侧形成有紧贴所述沟槽的N型注入区。

5.根据权利要求1所述的正面超级结背面IGBT的工艺方法，其特征在于：步骤四中形成所述金属钝化层之前，在所述体区上方的ILD层中形成凹槽；之后再所述第三外延层上形成所述金属钝化层，所述金属钝化层填充在所述凹槽内。

6.根据权利要求1所述的正面超级结背面IGBT的工艺方法，其特征在于：步骤六中所述场截止注入层的体浓度为E11～E14。

7.根据权利要求1所述的正面超级结背面IGBT的工艺方法，其特征在于：步骤六中的所述硼注入层的注入浓度为E11～E15。

8.根据权利要求1所述的正面超级结背面IGBT的工艺方法，其特征在于：步骤六中的所述场截止注入层的深度为1～30微米。

9.根据权利要求1所述的正面超级结背面IGBT的工艺方法，其特征在于：步骤六中的所述硼注入层的注入深度为0.1～5微米。