[发明专利]一种电阻浆料及片式电阻器

说明书

本发明公开了一种电阻浆料及片式电阻器。一种电阻浆料，成分包括导电相、铜的氧化物和MnO₂，导电相为钌的化合物中的至少一种，铜的氧化物和MnO₂的质量比满足0.2≤铜的氧化物/MnO₂≤4.3。本发明的电阻浆料，通过铜的氧化物和MnO₂对导电相进行掺杂，铜的氧化物的掺杂可以使制备的片式电阻器在静电冲击后阻值增大，而MnO₂的掺杂可以使制备的片式电阻器在静电冲击后阻值减小。当铜的氧化物/MnO₂的质量比值在0.2‑4.3时，两者掺杂起到合适的协同作用，使制备的片式电阻器具有优异的静电性能，在5KV静电正负各3次冲击后的阻值变化率的绝对值不超过5％。

技术领域

本发明属于电子浆料领域，具体涉及一种电阻浆料及片式电阻器。

背景技术

片式电阻器作为重要的电子元器件被广泛用于厚膜电路、混合集成电路、电子设备等领域中。片式电阻器在一些特定场景使用过程中会受到高压静电冲击，导致其阻值发生变化，且静电冲击的电压越高，阻值的变化越大，当阻值变化率超过一定范围时，片式电阻器将会失效。通常以静电性能来表征片式电阻器的耐静电冲击能力，静电性能越好，其受高压静电冲击后的阻值变化率越小。

片式电阻器的静电性能主要取决于其中的电阻层，电阻层是由电阻浆料印刷在绝缘基板上并进行烧结后形成的；其中，电阻浆料中的导电相含量越高，制备的片式电阻器的静电性能越好，然而导电相含量的提高一方面限制了电阻浆料的宽阻值范围的应用(尤其在高阻段的应用)，另一方面也极大提高了成本，因此，需要寻找合适的电阻浆料配方体系，在兼顾宽阻值应用范围和低成本的情况下，提高制备的片式电阻器的静电性能，从而使其适用于耐静电冲击能力要求高的应用中。

发明内容

为了克服现有片式电阻器存在耐静电冲击能力差的问题，本发明目的之一在于提供一种电阻浆料，本发明目的之二在于提供这种电阻浆料的制备方法，本发明的目的之三在于提供一种片式电阻器。

为了实现上述目的，本发明所采取的技术方案是：

本发明第一方面提供了一种电阻浆料，电阻浆料的成分包括导电相、铜的氧化物和MnO₂，导电相为钌的化合物中的至少一种，铜的氧化物和MnO₂的质量比满足0.2≤铜的氧化物/MnO₂≤4.3；铜的氧化物为CuO和Cu₂O中的至少一种。

电阻浆料中的铜的氧化物和MnO₂可以对钌系导电材料(如RuO₂)进行掺杂，铜的氧化物的掺杂可以使制备的片式电阻器在静电冲击后阻值增大，而MnO₂的掺杂可以使制备的片式电阻器在静电冲击后阻值减小。当铜的氧化物/MnO₂的质量比值在0.2-4.3时，两者掺杂起到合适的协同作用，使制备的片式电阻器具有优异的静电性能；当铜的氧化物/MnO₂的质量比值＜0.2时，制备的片式电阻器在静电冲击后阻值降低过大，静电性能差；当铜的氧化物/MnO₂的质量比值＞4.3时，制备的片式电阻器在静电冲击后阻值增加过大，静电性能差。

其中，铜的氧化物/MnO₂的质量比可通过X射线荧光光谱分析仪(XRF)方法测试得到。

优选的，这种电阻浆料，铜的氧化物和MnO₂的质量比满足0.3≤铜的氧化物/MnO₂≤3.2；进一步优选的，铜的氧化物和MnO₂的质量比满足0.4≤铜的氧化物/MnO₂≤2；再进一步优选的，铜的氧化物和MnO₂的质量比满足0.45≤铜的氧化物/MnO₂≤1.2；再进一步优选的，铜的氧化物和MnO₂的质量比满足0.5≤铜的氧化物/MnO₂≤0.7。