[发明专利]光电阴极间接竞争传感器的构建方法及评估方法

权利要求书

1.一种光电阴极间接竞争传感器的构建方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，使用高温煅烧法合成Bi₂O₃/CuBi₂O₄，及Bi₂O₃和CuBi₂O₄，将Bi₂O₃/CuBi₂O₄分散在分散液中，超声分散均匀后取滴涂于电极上，自然晾干，得到Bi₂O₃/CuBi₂O₄/ITO为基础的传感平台；

具体地，将摩尔比为1:1:7到1:5:7的Cu(NO₃)₂·3H₂O、Bi(NO₃)₃·5H₂O和葡萄糖在石英玛瑙砂浆中研磨5-10分钟；

在陶瓷坩埚中60℃干燥数小时，得到无水前驱体；

将前驱体加热至400℃，在管式炉中保持20-40分钟；

将得到的燃烧残渣在石英玛瑙砂浆中研磨，然后在陶瓷坩埚中在500℃下煅烧2-6小时，最后得到的Bi₂O₃/CuBi₂O₄；

S2，利用广义梯度近似的Perdew-Burke-Ernzerhof方法进行处理；

具体地，对于Bi₂O₃(001)/CuBi₂O₄(100)异质结构，截止能量为520eV；

在2×2×1中设置k点进行几何优化，电子结构计算采用4×4×1网格；

将真空空间设置为以避免周期性交互，所有的结构都是松弛的，直到组成原子上的最大剩余力小于

S3，利用密度泛函理论计算Bi₂O₃和CuBi₂O₄的光致电子Z型转移路径和能带结构，构建基于Bi₂O₃/CuBi₂O₄的传感器。

2.根据权利要求1所述的光电阴极间接竞争传感器的构建方法，其特征在于，所述S3具体包括：

取3-10微升戊二醛水溶液滴在Bi₂O₃/CuBi₂O₄/ITO上，室温孵育30-60分钟，用0.1M PBS冲洗去除未结合的戊二醛分子，得到GLD/Bi₂O₃/CuBi₂O₄/ITO；

在GLD/Bi₂O₃/CuBi₂O₄/ITO上滴涂一定浓度靶标物抗原溶液，4℃下孵育，用0.1M PBS冲洗，得到Ag/GLD/Bi₂O₃/CuBi₂O₄/ITO；

在Ag/GLD/Bi₂O₃/CuBi₂O₄/ITO上滴加1％BSA溶液，室温孵育，再用0.1M PBS冲洗，得到BSA/Ag/GLD/Bi₂O₃/CuBi₂O₄/ITO,以阻断非特异性吸附；

基于Bi₂O₃/CuBi₂O₄的生物传感器构建完成，保存于4℃的冰箱中待测。