[发明专利]高Q值低介电常数LTCC粉、LTCC材料及制备方法、生瓷带及制备方法和应用

权利要求书

1.一种高Q值低介电常数LTCC材料，其特征在于：采用高Q值低介电常数LTCC粉为原料制备而成；所述高Q值低介电常数LTCC粉由Mg₂SiO₄和CuF₂混合而成，且所述CuF₂的重量为所述Mg₂SiO₄重量的1-6％；所述高Q值低介电常数LTCC材料介电性能如下：相对介电常数ε_r在6-7之间，品质因数Q×f在50000-180000GHz之间，谐振频率温度系数τ_f在-65～-11ppm/℃之间；所述高Q值低介电常数LTCC材料的制备方法包括以下步骤：将高Q值低介电常数LTCC粉球磨后进行造粒，干压成型后在850-950℃下烧结2-6h得到所述高Q值低介电常数LTCC材料。

2.根据权利要求1所述的高Q值低介电常数LTCC材料，其特征在于：所述Mg₂SiO₄的制备工艺包括以下步骤：以MgO、SiO₂为原料，并按照化学通式Mg₂SiO₄的化学计量比进行配料；将配好的原料进行球磨混合，在1300-1400℃温度下预烧2-6小时得到所述的Mg₂SiO₄。

3.根据权利要求2所述的高Q值低介电常数LTCC材料，其特征在于：所述二氧化硅SiO₂的粒径D50为1.0μm-2.6μm；所述氧化镁MgO的粒径D50为1.0μm-3.2μm。

4.一种如权利要求1-3中任一项所述的高Q值低介电常数LTCC材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：将高Q值低介电常数LTCC粉球磨后进行造粒，干压成型后在850-950℃下烧结2-6h得到所述的高Q值低介电常数LTCC材料。

5.一种高Q值低介电常数LTCC生瓷带，其特征在于：采用高Q值低介电常数LTCC粉为原料制备而成；所述高Q值低介电常数LTCC粉由Mg₂SiO₄和CuF₂混合而成，且所述CuF₂的重量为所述Mg₂SiO₄重量的1-6％；

所述高Q值低介电常数LTCC生瓷带的制备方法包括以下步骤：

S1、将高Q值低介电常数LTCC粉球磨得到流延浆料；其中，在球磨过程中，所用溶剂为二甲苯和无水乙醇的混合物，所用分散剂为鲱鱼鱼油，所用粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛；

S2、将S1中获得的流延浆料进行真空脱泡处理、流延成型得到LTCC生瓷带单层；

S3、将S2中获得的LTCC生瓷带单层通过丝网印刷银浆，然后将多个丝网印刷银浆后的LTCC生瓷带单层重叠放置后进行温水等静压形成LTCC巴块；

S4、将S3中所获得的LTCC巴块排胶后烧结，冷却至室温得到所述高Q值低介电常数LTCC生瓷带。

6.一种如权利要求5所述的高Q值低介电常数LTCC生瓷带的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、将高Q值低介电常数LTCC粉球磨得到流延浆料；其中，在球磨过程中，所用溶剂为二甲苯和无水乙醇的混合物，所用分散剂为鲱鱼鱼油，所用粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛；

S2、将S1中获得的流延浆料进行真空脱泡处理、流延成型得到LTCC生瓷带单层；

S3、将S2中获得的LTCC生瓷带单层通过丝网印刷银浆，然后将多个丝网印刷银浆后的LTCC生瓷带单层重叠放置后进行温水等静压形成LTCC巴块；

S4、将S3中所获得的LTCC巴块排胶后烧结，冷却至室温得到所述高Q值低介电常数LTCC生瓷带。