[发明专利]多晶硅场板及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种多晶硅场板，包括衬底，其特征在于：所述衬底上设有连接区和P+环区；其中，所述P+环区包括多个隔离岛，每一隔离岛呈框型并结合在所述衬底表面上，多个所述隔离岛间隔分布，并依次围合所述连接区；

相邻两所述隔离岛之间形成框型P+沟道，在所述P+沟道内填充有复合多晶硅层；所述复合多晶硅层包括掺杂多晶硅层和与所述掺杂多晶硅层层叠结合的无掺杂多晶硅层，且所述掺杂多晶硅层结合在所述P+沟道的底部，在所述无掺杂多晶硅层的背离所述掺杂多晶硅层的表面还含有导电改性层。

2.如权利要求1所述的多晶硅场板，其特征在于：所述掺杂多晶硅层的厚度为2000-2500A；和/或

所述掺杂多晶硅层所含掺杂元素的掺杂量为掺杂元素前驱体与多晶硅前驱体按照10-20：(100-200)sccm的速率比导入至沉积腔内形成的掺杂量；和/或

所述掺杂多晶硅层所含掺杂元素包括P、B、As中的至少一种元素；和/或

所述无掺杂多晶硅层的厚度为2000-3000A。

3.如权利要求1或2所述的多晶硅场板，其特征在于：所述掺杂多晶硅层所含掺杂元素分布在所述掺杂多晶硅层的表层和其内部；和/或

所述掺杂多晶硅层是由掺杂元素与硅原位掺杂沉积形成。

4.如权利要求1或2所述的多晶硅场板，其特征在于：所述导电改性层的表面方块电阻为11±3Ω/口；和/或

所述导电改性层是由POCl₃在无掺杂多晶硅层表面沉积后进行退火形成。

5.如权利要求1或2所述的多晶硅场板，其特征在于：所述复合多晶硅层填充在所述P+沟道的宽度为3.0-4.0μm；和/或

所述隔离岛的高度为2.0-2.5μm；和/或

各所述隔离岛中任一两个隔离岛的宽度等差为4.0-5.0μm；和/或

所述隔离岛的材料为SiO₂；和/或

所述连接区中的所述衬底表面至表层中含有连接功能层，由所述连接功能层至所述衬底内部方向，还包括依次分层分布的P+层、N+层。

6.一种多晶硅场板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底，所述衬底上设有连接区和P+环区，P+环区包括多个隔离岛，每一隔离岛呈框型并结合在所述衬底表面上，多个所述隔离岛间隔分布，并依次围合所述连接区；相邻两所述隔离岛之间形成框型P+沟道；

在包括所述P+沟道内和所述连接区的表面形成掺杂多晶硅层；

在所述掺杂多晶硅层的与所述衬底背离的表面上形成无掺杂多晶硅层；

在所述无掺杂多晶硅层的外表面上形成导电改性层；

保留形成于所述P+沟道内的所述掺杂多晶硅层、无掺杂多晶硅层和导电改性层，将其余区域形成的所述掺杂多晶硅层、无掺杂多晶硅层和导电改性层除去。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在包括所述P+沟道内和所述连接区的表面形成掺杂多晶硅层的方法包括如下步骤：

将气态的掺杂元素前驱体与第一多晶硅前驱体导入沉积腔内形成混合气体并进行第一化学反应，在包括所述P+沟道内和所述连接区的表面原位沉积形成所述掺杂多晶硅层；

和/或

所述无掺杂多晶硅层的方法包括如下步骤：

将气态的第二多晶硅前驱体导入沉积腔内进行第二化学反应，在所述掺杂多晶硅层的表面上原位沉积形成所述无掺杂多晶硅层；

和/或

在所述无掺杂多晶硅层的外表面上形成导电改性层的方法包括如下步骤：

将POCl₃导入沉积腔内进行第三化学反应，在所述无掺杂多晶硅层的表面上原位沉积，后依次进行退火处理和飘酸处理形成所述导电改性层。