[发明专利]一种用于湿电子化学品纯化的螯合膜的制备方法

说明书

本发明公开了一种用于湿电子化学品纯化的螯合膜的制备方法，包括以下步骤：多孔的PTFE膜进行亲水性处理，得到具有亲水性的基膜；螯合树脂依次通过盐酸溶液、氢氧化钠溶液和去离子水清洗后进行干燥处理；对清洗并干燥后的螯合树脂进行研磨和筛分，得到粉体；将所述粉体和聚异丁烯、聚六氟乙烯乳液进行混炼，并真空脱泡形成涂膜液；将所述涂膜液涂覆在具有亲水性的基膜上制成螯合膜；制得的螯合膜依次用盐酸溶液、氢氧化钠溶液和纯水洗涤至中性，然后烘干保存。本发明提供螯合膜的制备方法适合微量金属离子的去除，且去除离子的能耗低。

技术领域

本发明涉及螯合膜技术领域，特别涉及一种用于湿电子化学品纯化的螯合膜的制备方法。

背景技术

超净高纯试剂是超大规模集成电路(IC)制作过程中的关键性基础化工材料之一，主要用于芯片的清洗和腐蚀及硅圆片(晶圆)的清洗，它的纯度和洁净度对集成电路的成品率、电性能及可靠性都有着十分重要的影响。当晶片上有金属离子污染时，它将对半导体元器件产生很大的危害，例如:Fe、Cu,Na等金属会导致OISF的产生，因而增加p-n结结合的漏电流，及降低少数载流子的寿命。超净高纯试剂具有品种多、用量大、技术要求高、贮存有效期短和强腐蚀性等特点。

我国在20世纪70年代开始从事超净高纯试剂的研制和生产，到目前为止，对超净高纯试剂中的固体颗粒杂质已经能够控制，但是对超净高纯试剂中金属离子的含量控制还需通过蒸馏、精馏等传统方式，这些方式不但对金属离子的去除率低且能耗高。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种用于湿电子化学品纯化的螯合膜的制备方法，该制备方法对微量金属离子的去除率高且能耗低。

本发明通过以下技术方案实现：

一种用于湿电子化学品纯化的螯合膜的制备方法，包括以下步骤：

多孔的PTFE膜进行亲水性处理，得到具有亲水性的基膜；

螯合树脂依次通过盐酸溶液、氢氧化钠溶液和去离子水清洗后进行干燥处理；

对清洗并干燥后的螯合树脂进行研磨和筛分，得到粉体；

将所述粉体和聚异丁烯、聚六氟乙烯乳液进行混炼，并真空脱泡形成涂膜液；

将所述涂膜液涂覆在具有亲水性的基膜上制成螯合膜。

进一步的，还包括以下步骤：

制得的螯合膜依次用盐酸溶液、氢氧化钠溶液和纯水洗涤至中性，然后烘干保存。

进一步的，所述步骤：多孔的PTFE膜进行亲水性处理，得到具有亲水性的基膜，具体包括以下步骤：

多孔的PTFE膜加入乙醇浸泡0.5-2h，之后在空气中干燥5-30min；

将硝酸添加到2-10wt％高锰酸钾水溶液中并在室温下溶解0.5-2h，得到混合溶液；

将处理后的PTFE膜放入混合溶液中，并用50-90℃水浴加热1-3h；

加热完成后放入超纯水中用超声波清洗0.1-0.5h，然后在40-60℃烘箱中干燥1-2h后，得到具有亲水性的基膜。

进一步的，所述硝酸∶高锰酸钾水溶液体积比为1∶(20-30)。

进一步的，所述步骤：螯合树脂依次通过盐酸溶液、氢氧化钠溶液和去离子水清洗后进行干燥处理，具体包括：

螯合树脂依次通过盐酸溶液、氢氧化钠溶液和去离子水清洗后在80-90℃烘箱中干燥1-2h，其中，所述螯合树脂为亚胺基二乙酸螯合树脂。

进一步的，所述粉体为1000-3000目。