[发明专利]一种晶圆单面抛光装置及方法

权利要求书

1.一种晶圆单面抛光装置，其特征在于：包括陶瓷盘（1）、第一粘结层（2）、吸附层（3）、第二粘结层（4）、限位环（5）和抛光盘（6），所述吸附层（3）的下表面通过所述第一粘结层（2）粘结在所述陶瓷盘（1）的上表面上，所述吸附层（3）通过水滴将晶圆（7）固定在所述吸附层（3）的上表面上，所述晶圆（7）的外侧设置有一圈与所述晶圆（7）配合的所述限位环（5），所述限位环（5）通过所述第二粘结层（4）固定在所述吸附层（3）的上表面上，所述抛光盘（6）与所述晶圆（7）的上表面接触时，所述限位环（5）的上表面始终不与所述抛光盘（6）接触。

2.根据权利要求1所述的一种晶圆单面抛光装置，其特征在于：所述第二粘结层（4）与所述限位环（5）同轴设置的圆环，且所述限位环（5）的内直径小于所述第二粘结层（4）的内直径。

3.根据权利要求2所述的一种晶圆单面抛光装置，其特征在于：所述限位环（5）的内直径比所述第二粘结层（4）的内直径小2~3mm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的一种晶圆单面抛光装置，其特征在于：所述吸附层（3）由BP材料制成，所述限位环（5）由玻纤板加工而成。

5.一种晶圆单面抛光方法，其特征在于，所述晶圆单面抛光方法包括以下步骤：

S1：在陶瓷盘（1）的上表面清洗干净，除去所述陶瓷盘（1）的上表面的水珠以及灰尘；

S2：在所述陶瓷盘（1）的上表面上均匀刷上一层第一粘结层（2）；

S3：清洁吸附层（3）上两个面上的灰尘，清洁之后将所述吸附层（3）放在所述第一粘结层（2）上，使所述吸附层（3）充分贴合在所述陶瓷盘（1）的上表面上，并保证所述吸附层（3）的上表面处于平整状态；

S4：在所述吸附层（3）的上表面上贴一圈第二粘结层（4），然后在所述第二粘结层（4）上同轴贴上限位环（5），且保证所述第二粘结层（4）的内边缘到所述限位环（5）内边缘的距离为1~1.5 mm；

S5：清洁晶圆（7）上两个面上的灰尘，在所述晶圆（7）的非抛光面上滴入水滴，然后将带有水滴的面贴合到所述吸附层（3）的上表面上的所述限位环（5）内，直到所述晶圆（7）的上表面处于平整状态为止；

S6：待所述晶圆（7）安装完成后开始抛光作业；

S7：抛光作业时，首先下移动抛光盘（6）使得所述抛光盘（6）的下表面与所述晶圆（7）的接触，虽然后驱动所述陶瓷盘（1）正方向旋转，然后驱动所述抛光盘（6）同方向不同速度旋转；

S8：抛光完成后，停止抛光盘（6）和所述陶瓷盘（1）的转动，将所述抛光盘（6）上移回归初始状态，将所述陶瓷盘（1）、第一粘结层（2）、吸附层（3）、第二粘结层（4）、限位环（5）和晶圆（7）作为一个整体放置于水中，然后取出所述晶圆（7）；

S9：取出所述晶圆（7）后，然后清洁所述吸附层（3）的上表面，清洁结束后放置另一张需要抛光的所述晶圆（7）；

S10：重复所述S5步骤到S9步骤对多个所述晶圆（7）进行加工。

6.根据权利要求5所述的一种晶圆单面抛光方法，其特征在于：所述S7步骤中，所述晶圆（7）抛光时喷入冷却液。