[发明专利]一种镁基热电高通量薄膜材料及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种镁基热电高通量薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括步骤：

使用分立的掩膜板在基片表面镀上多个分立的镁基基体薄膜；

采用真空蒸镀，利用分立掩膜工艺在所述镁基基体薄膜表面镀上掺杂元素；

然后将镀上掺杂元素的镁基基体薄膜在真空设备中进行退火处理，制得所述镁基热电高通量薄膜材料。

2.根据权利要求1所述的镁基热电高通量薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述镁基基体薄膜的其中一种基体元素为镁，另一种基体元素选自铋、锡、碲中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的镁基热电高通量薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述步骤使用分立的掩膜板在基片表面镀上多个分立的镁基基体薄膜，具体包括：

将镁源放置在其中一个热蒸发源处的蒸发舟上，利用分立的掩膜板，采用热蒸发进行真空蒸镀；

将铋源、锡源、碲源中的至少一种放置在另一个热蒸发源处的蒸发舟上，利用分立的掩膜板，采用热蒸发或电子束蒸发进行真空蒸镀；

在基片表面制得镁基基体薄膜。

4.根据权利要求3所述的镁基热电高通量薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述热蒸发的蒸发源与基片之间的距离为65-75mm。

5.根据权利要求3所述的镁基热电高通量薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述镁基基体薄膜的沉积速度为0.1～0.2nm/s，真空度为6×10^-7～10×10^-7Pa。

6.根据权利要求1所述的镁基热电高通量薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述掩膜板为一级分立掩膜板；所述步骤利用分立掩膜工艺在所述镁基基体薄膜表面镀上掺杂元素采用分级掩膜板。

7.根据权利要求1所述的镁基热电高通量薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述掺杂元素选自银、硒、钇、钪、铝、铜、钛中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的镁基热电高通量薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述退火处理的退火温度为300-350℃、退火时间为0.8-1.2h，真空度为8×10^-7Pa。

9.一种镁基热电高通量薄膜材料，其特征在于，所述镁基热电高通量薄膜材料采用如权利要求1-8任一所述的镁基热电高通量薄膜材料的制备方法制得。

10.一种如权利要求9所述的镁基热电高通量薄膜材料在热电器件中的应用。