[发明专利]一种识别AlGaN/GaN-HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法在审
| 申请号： | 202210759798.2 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN115061029A | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 杨剑群;李兴冀;万鹏飞;吕钢;董尚利 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473 | 代理人： | 鲍丽伟 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 识别 algan gan hemts 活性 辐射 缺陷 分布 区域 方法 | ||
1.一种识别AlGaN/GaN-HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1、测试AlGaN/GaN-HEMTs的电化学性能，确定器件的开态、半开态和关态的栅极电压范围；
步骤S2、采用深能级瞬态谱技术，在不同栅极电压下对AlGaN/GaN-HEMTs进行深能级缺陷测试，其中，所述栅极电压能够覆盖开态、半开态和关态；
步骤S3、分析不同栅极电压条件下AlGaN/GaN-HEMTs中电活性辐射缺陷的分布区域。
2.根据权利要求1所述的识别AlGaN/GaN-HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法，其特征在于，所述步骤S1中，采用半导体测试仪测试AlGaN/GaN-HEMTs的电化学性能，测试过程中AlGaN/GaN-HEMTs的漏极接正电压，所述栅极电压从低电压扫描至高电压。
3.根据权利要求2所述的识别AlGaN/GaN-HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法，其特征在于，所述漏极的电压为0.1V。
4.根据权利要求2所述的识别AlGaN/GaN-HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法，其特征在于，所述栅极电压从-4V扫描至0V。
5.根据权利要求1所述的识别AlGaN/GaN-HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法，其特征在于，所述步骤S2中，深能级瞬态测试过程中，漏极电压设置为10V的脉冲电压，且脉冲时间为0.001s，源极接地。
6.根据权利要求5所述的识别AlGaN/GaN-HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法，其特征在于，深能级瞬态的速率窗口设置为5s，测试温度为15～400K。
7.根据权利要求5所述的识别AlGaN/GaN-HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法，其特征在于，所述栅极电压分别设置为-1.4V，-1.8V，-1.9V，-1.95V，-2.0V，-2.05V和-2.1V。
8.根据权利要求1所述的识别AlGaN/GaN-HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法，其特征在于，所述步骤S3中，不同栅极电压条件下，AlGaN/GaN-HEMTs分别处于开态、半开态或关态，根据所述步骤S2中得到的不同栅极电压下的深能级瞬态谱分析AlGaN/GaN-HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域。
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