[发明专利]电致发光器件、显示面板及显示装置在审
申请号: | 202210760320.1 | 申请日: | 2022-06-29 |
公开(公告)号: | CN115117137A | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 余兆伟;晏荣建;韦钦河;宋广军;杨亚敏;陈文斌 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 张筱宁 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 器件 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种电致发光器件,其特征在于,包括:
至少两层叠的发光层;
电荷产生层,位于相邻两所述发光层之间,包括层叠的空穴产生层和电子产生层;
其中,所述空穴产生层的主客体掺杂比为第一掺杂比,所述电子产生层的主客体掺杂比为第二掺杂比,所述第一掺杂比与所述第二掺杂比之间的比例不小于3:1且不大于20:1。
2.根据权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,所述空穴产生层的主体材料包括以下化合物中的至少一种:
3.根据权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,所述空穴产生层的客体材料包括以下化合物中的至少一种:
4.根据权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,所述电子产生层的主体材料包括以下化合物中的至少一种:
5.根据权利要求1-4中任一所述的电致发光器件,其特征在于,所述发光层包括:第一子像素和第二子像素;
所述空穴产生层包括:对应所述第一子像素的第一空穴产生子结构,和对应所述第二子像素的第二空穴产生子结构;
其中,所述第一子像素的驱动电压高于所述第二子像素的驱动电压,所述第一空穴产生子结构的导电性高于所述第二空穴产生子结构的导电性。
6.根据权利要求5中任一所述的电致发光器件,其特征在于,所述第一空穴产生子结构的主客体掺杂比大于所述第二空穴产生子结构的主客体掺杂比;
和/或,所述第一空穴产生子结构与所述第二空穴产生子结构之间具有第一间隔。
7.根据权利要求6所述的电致发光器件,其特征在于,所述第一间隔不小于2微米。
8.根据权利要求1-4中任一所述的电致发光器件,其特征在于,所述发光层包括:第一子像素和第二子像素;
所述电子产生层包括:对应所述第一子像素的第一电子产生子结构,和对应所述第二子像素的第二电子产生子结构;
其中,所述第一子像素的驱动电压高于所述第二子像素的驱动电压,所述第一电子产生子结构的导电性高于所述第二电子产生子结构的导电性。
9.根据权利要求8所述的电致发光器件,其特征在于,所述第一电子产生子结构的主客体掺杂比大于所述第二电子产生子结构的主客体掺杂比;
和/或,所述第一电子产生子结构与所述第二电子产生子结构之间具有第二间隔。
10.根据权利要求9所述的电致发光器件,其特征在于,所述第二间隔不小于2微米。
11.根据权利要求1-4中任一所述的电致发光器件,其特征在于,所述发光层包括:第一子像素、第二子像素和第三子像素;
所述第一子像素的驱动电压分别高于所述第二子像素的驱动电压、所述第三子像素的驱动电压;
所述第一子像素与所述第二子像素之间具有第三间隔,所述第一子像素与所述第三子像素之间具有第四间隔。
12.根据权利要求11所述的电致发光器件,其特征在于,所述第三间隔和所述第四间隔中的至少一种不小于2微米。
13.一种显示面板,其特征在于,包括:如上述权利要求1-12中任一所述的电致发光器件。
14.一种显示装置,其特征在于,包括:如上述权利要求13所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的