[发明专利]背接触异质结电池片、光伏组件及其制作方法

权利要求书

1.一种背接触异质结电池片，其特征在于，包括：

P区、N区、所述P区和所述N区之间的间隙、贯穿所述P区和所述N区的电池片n等分切割线，所述切割线分布在电池片本征非晶硅钝化层上。

2.根据权利要求1所述的背接触异质结电池片，其特征在于，1≤n≤10。

3.一种光伏组件，其特征在于，包括：

成列布置的多排电池片组，每排所述电池片组包括多个沿排向依次衔接的异质结电池片，所述异质结电池片为如权利要求1或2所述的背接触异质结电池片，任意相邻两排所述电池片组的N区和P区排布顺序相反，所述异质结电池片的N区与相邻排中所述异质结电池片的P区的至少部分相对，所述N区和所述P区均位于所述异质结电池片的背侧；

栅线胶膜，所述栅线胶膜上设有多条沿列向延伸的主栅线，所述栅线胶膜与多排所述电池片组的背面粘接，每个所述主栅线止抵在列向相邻并相对的所述P区和所述N区，以便于成排成列布置的多个异质结电池片通过多个主栅线串并联；

第一胶膜，所述第一胶膜压设在多排所述电池片组的顶面上；以及

第一玻璃板和第二玻璃板，所述第一玻璃板和所述第二玻璃板分别压设在所述第一胶膜和所述栅线胶膜上。

4.根据权利要求3所述的光伏组件，其特征在于，每个所述异质结电池片包括多个交替布置的所述P区和所述N区，所述P区和所述N区的数量相等，任意相邻P区和N区之间形成隔离区，每个所述N区与相邻排的所述P区相对，所述隔离区的宽度为Z，所述N区的宽度为Wn，所述P区的宽度为Wp，其中，Wn＜Wp，10nm＜Z＜Wn。

5.根据权利要求4所述的光伏组件，其特征在于，所述主栅线的宽度为w，其中，w≤Wn≤w+Q，0≤Q≤0.2mm。

6.根据权利要求4所述的光伏组件，其特征在于，任意相邻两排所述电池片组错位布置，且错位距离为L，其中，-Wp+Wn≤L≤Wp-Wn，或L＝Wp+Z。

7.根据权利要求6所述的光伏组件，其特征在于，所述主栅线沿列向延伸的中心线与相应所述P区沿列向延伸的中心线和相应所述N区沿列向延伸的中心线重合。

8.根据权利要求3所述的光伏组件，其特征在于，所述P区上印刷或电镀有副栅线；

或者，所述栅线胶膜朝向所述异质结电池片的一侧设有与所述P区对应的副栅线。

9.根据权利要求3所述的光伏组件，其特征在于，所述光伏组件还包括第二胶膜，所述第二胶膜压设在所述栅线胶膜和所述第二玻璃板之间。

10.一种光伏组件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

在N型衬底的背面和顶面分别沉积第一本征非晶硅钝化层和第二本征非晶硅钝化层，在第一本征非晶硅钝化层的背侧印刷切割线；

在第一本征非晶硅钝化层的背侧设置用于遮挡切割线的第一掩膜和用于遮挡P区及N区与P区间隙的第二掩膜，在第一本征非晶硅钝化层的背侧通过化学气相沉积N型非晶硅，再在N型非晶硅上通过物理气相沉积，沉积透明导电层，形成电池片N区；

去除第二掩膜及第一掩膜，在第一本征非晶硅钝化层的背侧设置用于遮挡切割线的第一掩膜和用于遮挡N区及N区与P区间隙的第三掩膜，在第一本征非晶硅钝化层的背侧通过化学气相沉积P型非晶硅，再在P型非晶硅上通过物理气相沉积，沉积透明导电层，形成P区，之后去除第三掩膜及第一掩膜；

通过切割线切割N型衬底和第一本征非晶硅钝化层，成型多个异质结电池片；

将多个异质结电池片成排成列布置；

将预制有多个主栅线的栅线胶膜粘接在成排成列布置的异质结电池片的背侧，实现成排成列布置的异质结电池片的串并联；

在成排成列布置的异质结电池片的顶面依次层压第一胶膜和第一玻璃板，在栅线胶膜的背面层压第二玻璃板。