[发明专利]一种宽电源电压范围的带隙基准电路

权利要求书

1.一种宽电源电压范围的带隙基准电路，其特征在于：所述宽电源电压范围的带隙基准电路包含了正温度系数产生电路、带隙基准电压产生电路和与电源电压无关的偏置电路；

所述正温度系数产生电路包含六个PMOS管MP7-MP12，两个NMOS管MN4和MN5，两个NPN三极管Q1和Q2，以及一个电阻R10；MP7和MP8晶体管以串联的方式连接，并且MP8晶体管的漏极与Q1三极管的集电极相连接；

所述带隙基准电压产生电路包含三个PMOS管MP13-MP15，四个电阻R0-R3，一个NPN三极管Q0；MP13晶体管和MP14晶体管以串联的方式连接，MP14晶体管的漏极与MP15晶体管的源极相连接；

所述与电源电压无关的偏置电路包括七个PMOS管MP0-MP6、四个NMOS管MN0-MN3、六个电阻R4-R9；MP0晶体管、MP1晶体管和MP2晶体管产生偏置电压。

2.如权利要求1所述的一种宽电源电压范围的带隙基准电路，其特征在于：所述Q1和Q2三极管的发射极连接在一起，并且都连接至MN4晶体管的漏极，并且MN4晶体管的栅极连接至Q2三极管的集电极，使Q2三极管的集电极电压控制MN4晶体管的工作。

3.如权利要求1所述的一种宽电源电压范围的带隙基准电路，其特征在于：所述MP11和MP12晶体管以串联的方式连接，连接至R10电阻，R10电阻的另一端连接至MN5晶体管的漏极，使得MP11晶体管和MP12晶体管为MN15晶体管提供稳定的偏置，MN15晶体管的栅极连接至Q1三极管的集电极。

4.如权利要求1所述的一种宽电源电压范围的带隙基准电路，其特征在于：所述MN5晶体管的漏极与MP15晶体管的栅极连接，控制MP15晶体管的工作；R0电阻连接至MP14晶体管的漏极，R1和R2电阻与R0电阻以串联的方式连接，Q0三极管的基极与集电极相连接，并连接至R2电阻，Q0三极管的发射极与R3电阻相连，R3电阻的另一端连接至地端；Q2三极管的基极连接至R0电阻与R1电阻之间，Q1三极管的基极连接至R1电阻与R2电阻之间。

5.如权利要求1所述的一种宽电源电压范围的带隙基准电路，其特征在于：所述MN0晶体管、MN1晶体管和MN3晶体管形成反馈回路。

6.如权利要求1所述的一种宽电源电压范围的带隙基准电路，其特征在于：所述MP9和MP10晶体管以串联的方式连接，并且MP10晶体管的漏极与Q2三极管的集电极相连接。

7.如权利要求1所述的一种宽电源电压范围的带隙基准电路，其特征在于：所述MP15晶体管的漏极与地端连接，使MP13晶体管和MP14晶体管为MP15晶体管提供偏置电流。