[发明专利]一种高迁移率p型SrHfS3 有效
| 申请号： | 202210773468.9 | 申请日： | 2022-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN115074667B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 韩炎兵;史志锋;张跃文;梁雨润;徐洁;毛子慧 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 深圳众邦专利代理有限公司 44545 | 代理人： | 李茂松 |
| 地址： | 450001 河南省郑*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 迁移率 srhfs base sub | ||
【权利要求书】：
1.一种高迁移率p型SrHfS3薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.基于SrHfO3靶材通过磁控溅射沉积获得前驱体薄膜；
S2.对前驱体薄膜进行硫化处理得到SrHfS3薄膜；
步骤S1中，在磁控溅射之前，磁控溅射系统本底真空低于0.001Pa；磁控溅射系统内基板为石英基板，步骤S1中，磁控溅射过程中，SrHfO3溅射枪的功率为40W；溅射工作气体为氩气，氩气流量为10SCCM，溅射压强为1Pa，溅射时间为2h，基板温度为室温，步骤S2硫化过程为：将步骤S1中获得的前驱体薄膜置于管式炉中，使用机械泵抽至本底真空，通入硫化气体进行硫化，设置管式炉升温至硫化温度并保温，然后降至室温后获得SrHfS3薄膜，使用机械泵抽至本底真空低于0.1Pa，通入硫化气体后炉内压强为30Pa，硫化温度为1000-1050℃，硫化气体为二硫化碳气体和硫化氢气体中的一种；硫化时间大于4h，硫化反应后，以5℃/min的降温速率降温至室温。
2.根据权利要求1所述的一种高迁移率p型SrHfS3薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S1中磁控溅射沉积前驱体薄膜的步骤为：将SrHfO3靶材置入磁控溅射系统中，进行磁控溅射沉积，制得前驱体薄膜。
3.如权利要求1-2任一所述的一种高迁移率p型SrHfS3薄膜的制备方法制备所得的高迁移率p型SrHfS3薄膜。
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