[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

导电层，设置在所述衬底上并且沿第一方向延伸；

绝缘层，设置在所述导电层上并且通过其中限定的通路孔暴露所述导电层的至少一部分，其中，所述通路孔包括：

第一面，相对于所述导电层的顶面以第一坡度延伸；以及

第二面，相对于所述导电层的顶面以第二坡度延伸，所述第二坡度小于所述第一坡度；以及

再分布导电层，包括：

第一焊盘区域，设置在所述通路孔中；以及

线路区域，至少部分地沿着所述第一面和所述第二面延伸，

其中，所述第一面直接接触所述导电层，并且所述第二面在垂直于所述衬底的顶面的第三方向上位于比所述第一面的高度高的高度处。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述线路区域以比所述第三方向的坡度小的坡度延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一坡度在60°至90°的范围内。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述通路孔还包括第三面，所述第三面在所述第三方向上位于比所述第二面的高度高的高度处，其中，所述第三面相对于所述导电层的顶面以第三坡度延伸，所述第三坡度小于所述第二坡度。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述线路区域设置在所述第一面上的部分在第二方向上的第一厚度小于所述线路区域设置在所述第二面上的部分在所述第二方向上的第二厚度，其中，所述第二方向与所述第一方向相交。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一厚度在0.3um至3um的范围内，

其中，所述第二厚度在0.3um至10um的范围内。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘层在所述第三方向上的厚度在2um至10um的范围内。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述再分布导电层还包括：

第二焊盘区域，设置在所述绝缘层的顶面上；以及

钝化层，覆盖所述再分布导电层并且暴露所述第二焊盘区域的至少一部分。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述器件还包括：再分布凸块，设置在所述第二焊盘区域的由所述钝化层暴露的所述至少一部分上，

其中，所述再分布导电层将所述再分布凸块和所述第二焊盘区域电连接到所述导电层。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述再分布导电层包括铝Al。

11.一种半导体器件，包括：

衬底；

导电层，设置在所述衬底上并且沿第一方向延伸；

绝缘层，设置在所述导电层上并且通过其中限定的通路孔暴露所述导电层的至少一部分，其中，所述通路孔包括：

第一面，相对于所述导电层的顶面以第一坡度延伸；以及

第二面，相对于所述导电层的顶面以第二坡度延伸，所述第二坡度小于所述第一坡度；以及

再分布导电层，包括：

第一焊盘区域，设置在所述通路孔中；以及

线路区域，至少部分地沿着所述第一面和所述第二面延伸，

其中，所述线路区域以比垂直于所述衬底的顶面的第三方向的坡度小的坡度延伸。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一面直接接触所述导电层，并且所述第二面在所述第三方向上位于比所述第一面的高度高的高度处。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述绝缘层在所述第三方向上的厚度在2um至10um的范围内。