[发明专利]半导体结构的对准标记及半导体结构

说明书

本公开提供了一种半导体结构的对准标记及半导体结构，涉及半导体技术领域，对准标记包括多个标记单元，每个标记单元的形貌相同，多个标记单元之间以相对预设位置设置。在本公开中，将多个形貌相同的标记单元相对预设位置进行设置，作为半导体结构的对准标记，与单个对准标记相比，量测稳定性提高，能够减小对准误差，提高了半导体结构加工制作过程中的产品良率。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构的对准标记及半导体结构。

背景技术

晶圆(Wafer)加工过程中，能够形成多个晶粒(Die)，以及位于相邻晶粒之间的切割道区。沿切割道区对晶圆进行切割，能够使得晶圆变成多个独立的晶粒，晶粒在封装后即可形成芯片(Chip)。

相关技术中，通常在切割道区上设置单边对准标记，通过切割道区上的对准标记确定曝光位置，并对晶圆上的指定位置进行曝光，实现刻蚀、切割等功能。

发明内容

以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开提供了一种半导体结构的对准标记及半导体结构。

根据本公开的第一方面，提供了一种半导体结构的对准标记，所述对准标记包括多个标记单元，每个所述标记单元的形貌相同，多个所述标记单元之间以相对预设位置设置。

其中，多个所述标记单元之间呈中心对称设置。

其中，呈中心对称设置的多个所述标记单元之间相互连接。

其中，呈中心对称设置的多个所述标记单元之间断开设置。

其中，相邻的两个所述标记单元之间偏移设置。

其中，所述标记单元呈L型。

其中，所述对准标记包括两个呈L型的所述标记单元。

其中，所述标记单元呈直线型。

其中，所述对准标记包括多个标记组，每个标记组包括多个所述标记单元，相邻的所述标记组相互平行。

其中，所述对准标记包括相互平行的两个标记组，每个所述标记组包括两对标记对，每对所述标记对包括两个相对设置的所述标记单元。

其中，每对所述标记对中相对的两个所述对准单元之间的距离相等。

其中，所述标记单元的宽度为90纳米至100纳米。

根据本公开的第二方面，提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括基底，所述基底上设置有如第一方面所述的半导体结构的对准标记。

其中，所述基底包括切割道区和晶粒，相邻的所述晶粒被所述切割道区分隔；

所述对准标记设置于所述基底的切割道区和/或所述晶粒的预设区域中。

其中，所述预设区域包括所述晶粒的阵列区域中的空闲区域，和/或，所述晶粒的虚拟区域。

本公开提供的半导体结构的对准标记及半导体结构中，将多个形貌相同的标记单元相对预设位置进行设置，作为半导体结构的对准标记，与单个对准标记相比，量测稳定性提高，能够减小对准误差，提高了半导体结构加工制作过程中的产品良率。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与描述一起用于解释本公开实施例的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的要素。下面描述中的附图是本公开的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。