[发明专利]半导体装置

说明书

根据一实施方式半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域；第一导电型的第三半导体区域；第一导电部；第一栅极电极；第二导电部；第二栅极电极；第一连接部；以及第二电极。第一导电部隔着第一绝缘部设于第一半导体区域之中。第一栅极电极在与第一方向垂直的第二方向上与第二半导体区域面对，第一方向是从第一电极朝向第一半导体区域的方向。第二导电部隔着第二绝缘部设于第一半导体区域之中。第二栅极电极在第二方向上与第二半导体区域面对。第一连接部设于比第二半导体区域以及第三半导体区域靠上方的位置，与第一栅极电极以及第二栅极电极相接。第二电极设于第二半导体区域以及第三半导体区域之上。

关联申请

本申请以日本专利申请2022－20517号(申请日：2022年2月14日)为基础申请而享受优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式一般来说涉及半导体装置。

背景技术

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(MOSFET，金属氧化物半导体场效应管)等半导体装置被使用在电力转换用途中。制造半导体装置时，优选必要的工序数少。

发明内容

本实施方式提供能够减少制造时的工序数的半导体装置。

根据一实施方式，半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域；第一导电型的第三半导体区域；第一导电部；第一栅极电极；第二导电部；第二栅极电极；第一连接部；以及第二电极。所述第一半导体区域设于所述第一电极之上，与所述第一电极电连接。所述第二半导体区域设于所述第一半导体区域之上。所述第三半导体区域设于所述第二半导体区域的一部分之上。所述第一导电部隔着第一绝缘部设于所述第一半导体区域之中。所述第一栅极电极设于所述第一绝缘部之中，在与第一方向垂直的第二方向上，与所述第二半导体区域面对，第一方向是从所述第一电极朝向所述第一半导体区域的方向。所述第二导电部隔着第二绝缘部设于所述第一半导体区域之中，在所述第二方向上与所述第一导电部分离。所述第二栅极电极设于所述第二绝缘部之中，在所述第二方向上与所述第二半导体区域面对。所述第一连接部设于比所述第二半导体区域以及所述第三半导体区域靠上方的位置，沿着所述第二方向延伸，与所述第一栅极电极以及所述第二栅极电极相接。所述第二电极设于所述第二半导体区域以及所述第三半导体区域之上，与所述第二半导体区域、所述第三半导体区域、所述第一导电部以及所述第二导电部电连接。

附图说明

图1是表示第一实施方式的半导体装置的俯视图。

图2是图1的部分A的放大俯视图。

图3是图2的B1－B2剖面图。

图4是图2的C1－C2剖面图。

图5是图1的部分D的放大俯视图。

图6是图5的E1－E2剖面图。

图7(a)～图11(b)是表示第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面图。

图12是表示参考例的半导体装置的一部分的剖面图。

图13是表示第一实施方式的变形例的半导体装置的一部分的俯视图。

图14是图13的A1－A2剖面图。

图15是表示第一实施方式的变形例的半导体装置的一部分的俯视图。

图16是表示第一实施方式的变形例的半导体装置的一部分的俯视图。

图17是表示第二实施方式的半导体装置的一部分的俯视图。

图18是图17的A1－A2剖面图。