[发明专利]一种电磁屏蔽用防开裂复合磁性材料制备方法有效

专利信息
申请号: 202210782296.1 申请日: 2022-07-05
公开(公告)号: CN115058617B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 孟祥峰 申请(专利权)人: 深圳市一致磁业有限公司
主分类号: C22C1/051 分类号: C22C1/051;C22C29/00;B22F9/04;B22F3/10;H05K9/00;B01F27/84;B01F27/90;B01F35/11;B01F35/12;B01F31/40
代理公司: 深圳市龙成联合专利代理有限公司 44344 代理人: 苏玉峰
地址: 518000 广东省深圳市宝安*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 电磁 屏蔽 开裂 复合 磁性材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种电磁屏蔽用防开裂复合磁性材料制备方法,其特征在于:

具体包括以下步骤:

S1、材料混炼:首先将合金粉末和混合材料投入搅拌装置内进行湿法搅拌,再将搅拌混合后的混合料与粘结剂投入密炼机内进行均匀混合密炼,再将密炼完成后的金属材料收集放置冷却后并进行存储;

S2、材料制粒:将密炼完成后的混合材料投入造粒机中制粒,制得粒度为0.8-1.1mm以下的金属颗粒,再将金属颗粒通过气流磨装置制备成粉,制得粒度为0.8-1.3μm以下的混合粉末,并将混合粉末放置入模具中进行冲压制成磁性材料胚体;

S3、催化脱脂:将磁性材料胚体在酸性气氛进行催化脱脂,温度110~145℃,时间5~7h;

S4、真空高温烧结:将脱脂胚放置在真空烧结炉内进行高温烧结,以10°C/min的升温速率升温至400°C,在此温度下保温5h,之后停止升温并保持0.5-0.8h,再将真空烧结炉内烧结温度提升至1200~1500℃,保温时间1~3h,保温结束后得到防开裂复合磁性材料;

所述S1中搅拌装置包括主机体(1),所述主机体(1)的内部开设有搅拌腔(2),所述主机体(1)的右侧开设有入料口(3),所述入料口(3)与搅拌腔(2)相连通,所述主机体(1)的内部且位于搅拌腔(2)的上方开设有放置腔(4),所述主机体(1)的左侧固定安装有出料阀(5),所述放置腔(4)的内部滑动安装有滑动板(6),所述滑动板(6)的内部固定安装有单向轴承(7),所述单向轴承(7)的内部固定安装有螺纹套(8),所述放置腔(4)的内部转动安装有螺纹杆(9),所述螺纹杆(9)的外表面与螺纹套(8)的内表面螺纹连接,所述放置腔(4)的内部且位于螺纹杆(9)的右方活动安装有移动杆(10),所述移动杆(10)的外表面与滑动板(6)的内表面转动连接,所述放置腔(4)的内部且位于螺纹杆(9)的右方转动安装有固定杆(11),所述固定杆(11)的底端贯穿移动杆(10)并延伸至移动杆(10)的外部,所述S1中搅拌装置内的放置腔(4)底壁转动安装有下锥齿轮(12),所述主机体(1)的内部转动安装有不完全齿轮(13),所述移动杆(10)的底端依次贯穿下锥齿轮(12)和不完全齿轮(13)并延伸至搅拌腔(2)的内部,所述移动杆(10)的外表面均与下锥齿轮(12)和不完全齿轮(13)的内表面滑动连接,所述S1中搅拌装置上的固定杆(11)外表面固定安装有上锥齿轮(14),所述主机体(1)的内部固定安装有电机(15),所述电机(15)的输出端固定安装有驱动轴(16),所述驱动轴(16)的左端固定安装有锥齿轮盘(17),所述下锥齿轮(12)和上锥齿轮(14)均与锥齿轮盘(17)相啮合,所述主机体(1)的内部转动安装有完全齿轮(18),所述螺纹杆(9)的底端与完全齿轮(18)的顶部固定连接,所述完全齿轮(18)与不完全齿轮(13)相啮合,所述固定杆(11)的底端固定安装有搅拌叶(19),所述移动杆(10)的底端通过连接板(20)固定安装有刮料环(21)。

2.根据权利要求1所述的一种电磁屏蔽用防开裂复合磁性材料制备方法,其特征在于:所述S1中合金粉末按质量百分比包括:聚苯胺10%-15%、石墨烯15%-20%、氧化锰5%-10%、氧化镍6%-8%、余量为氧化铁,所述混合材料按质量百分比包括:碳化硼20%-25%、二氧化锆6%-9%、五氧化二钒3%-6%、余量为二氧化锡。

3.根据权利要求1所述的一种电磁屏蔽用防开裂复合磁性材料制备方法,其特征在于:所述S1中粘结剂按质量百分比包括:POM:80%-90%,PP:3%-15%和晶形蜡:5%-7%,密炼机对合金粉末与粘结剂进行密炼时,温度为190°C,密炼时间为45min,搅拌转速为15-20转/min。

4.根据权利要求1所述的一种电磁屏蔽用防开裂复合磁性材料制备方法,其特征在于:所述S3催化脱脂所用酸为硝酸或草酸中的一种。

5.根据权利要求1所述的一种电磁屏蔽用防开裂复合磁性材料制备方法,其特征在于:所述S4中真空烧结低温阶段200~600℃对胚体进行负压热脱脂,烧结炉可调节冷凝速度控制粘结剂脱除速度。

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