[发明专利]阵列基板及其制备方法和显示装置在审
申请号: | 202210786270.4 | 申请日: | 2022-07-04 |
公开(公告)号: | CN115132814A | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 杨慧;陈亚妮 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 熊恒定 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板至少包括:
依次设置于栅极层上的栅绝缘层和有源层,所述栅绝缘层具有与所述有源层重叠的中央区和围绕所述中央区的外围区,所述有源层具有背离所述栅绝缘层的第一表面,所述栅绝缘层具有位于所述中央区的与所述有源层接触的第三表面;以及,
挡光层,设置于所述外围区,所述挡光层具有背离所述栅绝缘层的第二表面,其中,所述第二表面相对于所述第三表面的高度大于所述第一表面相对于所述第三表面的高度。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅绝缘层具有位于所述外围区的与所述挡光层接触的第四表面,所述第三表面与所述第四表面在同一个平面内延展,所述有源层具有第一厚度,所述挡光层具有第二厚度,其中,所述第二厚度大于所述第一厚度。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括源漏极层,所述源漏极层设置于所述有源层上,且具有第三厚度,其中,所述第三厚度等于所述第二厚度。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述挡光层的材料与所述源漏极层的材料相同,且所述挡光层与所述源漏极层被介质材料隔开。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述挡光层的电位被配置为悬浮。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述挡光层的材料与所述栅绝缘层的材料相同。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述挡光层与所述有源层相接触。
8.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述制备方法至少包括:
在栅极层上依次形成栅绝缘层和有源层,其中,所述栅绝缘层具有与所述有源层重叠的中央区和围绕所述中央区的外围区,所述有源层具有背离所述栅绝缘层的第一表面,所述栅绝缘层具有位于所述中央区的与所述有源层接触的第三表面;以及,
在所述外围区形成挡光层,其中,所述挡光层具有背离所述栅绝缘层的第二表面,所述第二表面相对于所述第三表面的高度大于所述第一表面相对于所述第三表面的高度。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述在所述外围区形成挡光层的步骤,具体包括:
使用同一光罩形成位于所述外围区的挡光层以及位于所述有源层上的源漏极层。
10.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置至少包括如权利要求1至7任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的