[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

在衬底上方沉积顶部外延层；

由所述顶部外延层和所述衬底的部分形成鳍结构；

凹进所述鳍结构的源极/漏极区以形成延伸进入所述顶部外延层并且终止于所述顶部外延层的源极/漏极凹槽；

在所述源极/漏极凹槽的表面上方共形沉积半导体层；

回蚀刻所述半导体层以在所述源极/漏极凹槽的底面上方形成扩散停止层，

在所述扩散停止层和源极/漏极凹槽的侧壁上方沉积第一外延层；

在所述第一外延层上方沉积第二外延层；以及

在所述第二外延层上方沉积第三外延层，

其中，所述顶部外延层包括第一锗浓度，所述扩散停止层包括第二锗浓度，并且所述第一外延层包括第三锗浓度，

其中，所述第二锗浓度大于所述第一锗浓度或所述第三锗浓度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二外延层的所述沉积包括将所述第二外延层直接沉积在所述源极/漏极凹槽的侧壁和所述扩散停止层上。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二锗浓度在约25％和约35％之间。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二锗浓度与所述第三锗浓度的差异大于5％。

5.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述第一外延层的所述沉积包括用p型掺杂剂原位掺杂所述第一外延层，

其中，所述第二外延层的所述沉积包括用所述p型掺杂剂原位掺杂所述第二外延层，

其中，所述第三外延层的所述沉积包括用所述p型掺杂剂原位掺杂所述第三外延层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述p型掺杂剂包括硼(B)。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述半导体层的所述沉积包括用磷(P)或碳(C)原位掺杂所述半导体层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述半导体层中磷(P)或碳(C)的掺杂浓度在5×10¹⁸原子/cm³和约5×10²⁰原子/cm³之间。

9.一种形成半导体结构的方法，包括：

接收包括设置在衬底上的顶部外延层的工件；

由所述顶部外延层和所述衬底的部分形成鳍结构；

凹进所述鳍形结构的源极/漏极区以形成源极/漏极凹槽；

在所述源极/漏极凹槽的侧壁和底面上方沉积半导体层；

回蚀刻所述半导体层以在所述源极/漏极凹槽的所述底面上方形成扩散停止层，

在所述扩散停止层和所述源极/漏极凹槽的侧壁上方沉积第一外延层；以及

在所述第一外延层上方沉积第二外延层，

其中，所述回蚀刻包括以第一速率蚀刻所述半导体层的[110]结晶方向并且以小于所述第一速率的第二速率蚀刻所述半导体层的[100]结晶方向。

10.一种半导体结构，包括：

鳍结构，包括底部部分和设置在所述底部部分上的顶部部分，所述鳍结构包括源极/漏极区和邻近所述源极/漏极区的沟道区；

源极/漏极部件，设置在所述源极/漏极区上方并且延伸到所述源极/漏极区中，所述源极/漏极部件包括第一外延层和设置在所述第一外延层上方的第二外延层；以及

扩散停止层，垂直地夹在所述第一外延层和所述源极/漏极区之间，

其中，所述扩散停止层不延伸到所述鳍结构的所述底部部分中，

其中，所述顶部部分包括第一锗浓度，所述扩散停止层包括第二锗浓度，并且所述第一外延层包括第三锗浓度，

其中，所述第二锗浓度不同于所述第一锗浓度或所述第三锗浓度。