[发明专利]光刻仪器和方法

说明书

在实施例中，一种方法包括：加热极紫外源的副产物运输环，副产物运输环设置在极紫外源的叶片下方；在加热副产物运输环第一持续时间后，加热叶片；加热叶片后，冷却叶片；在冷却叶片第二持续时间后，冷却副产物运输环。本申请的实施例提供了光刻仪器和方法。

技术领域

本申请的实施例涉及光刻仪器和方法。

背景技术

随着半导体器件的不断缩小，各种加工技术(例如，光刻)适用于允许制造具有越来越小的尺寸的器件。例如，随着栅极密度的增加，器件中各种部件(例如，上层互连部件)的制造工艺适应于与整体器件部件的缩减兼容。然而，随着半导体工艺的工艺窗口越来越小，这些器件的制造已经接近甚至超过了光刻仪器的理论极限。随着半导体器件不断缩小，器件的元件之间所需的间距(即节距)小于使用传统光学掩模和光刻仪器可以制造的节距。

发明内容

在实施例中，一种光刻方法包括：加热极紫外源的副产物运输环，副产物运输环设置在极紫外源的叶片下方；在加热副产物运输环第一持续时间后，加热叶片；加热叶片后，冷却叶片；在冷却叶片第二持续时间后，冷却副产物运输环。

在实施例中，一种光刻方法包括：通过用激光束撞击锡滴在工艺室中产生等离子体，锡滴的副产物分布在工艺室中的叶片上，在等离子体产生期间，叶片的上部的上部温度高于叶片下部的下部温度；通过加热叶片的下部来减小上部温度和下部温度之间的差异；降低上部温度和下部温度的差异后，通过加热叶片的上部和下部，熔化叶片上的锡滴的副产物；以及将锡滴的熔化副产物从工艺室中抽出。

在实施例中，一种光刻仪器包括：等离子体产生器；光收集器；光收集器上方的副产物运输环，副产物运输环包括第一加热元件；副产物运输环上方的叶片；沿叶片的长度延伸的第二加热元件；控制器配置为：用等离子体产生器在光收集器上方产生等离子体，等离子体生成分布在叶片上的副产物；加热副产物运输环的第一加热元件，以减小叶片的上部和下部之间的温差；降低温差后，加热第二加热元件，熔化分布在叶片上的等离子体生成副产物。

附图说明

当与附图一起阅读时，从以下详细描述可以最好地理解本公开的各方面。值得注意的是，根据行业的标准惯例，各种部件并未按比例绘制。事实上，为了讨论清楚，可以任意增加或减少各种部件的尺寸。

图1是根据一些实施例的光刻系统的框图。

图2A-图2B是根据一些实施例的极紫外(EUV)源的详细视图。

图3A-图3C是根据一些实施例的叶片结构的部分的视图。

图4是根据一些实施例的用于操作光刻系统的方法的流程图表。

图5是根据一些实施例的在清洁工艺期间光刻系统的组件的温度图表。

图6示出了根据一些实施例的光刻系统的实验数据。

具体实施方式

以下公开提供了许多不同的实施例或示例，用于实现所描述主题的不同部件。下面描述元件和布置的具体示例以简化本描述。当然，这些仅仅是示例并且不旨在进行限制。例如，在下面的描述中，在第二部件之上或上形成第一部件可以包括第一和第二部件形成为直接接触的实施例，并且还可以包括附加部件可以在第一和第二部件之间形成的实施例，使得第一和第二部件可以不直接接触。此外，本公开可以在各种示例中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身并不表示所讨论的各种实施例和/或配置之间的关系。

此外，为了便于描述如图所示的一个元素或部件相对于另一个元素或部件，此处可以使用诸如“下”、“下方”、“在…之下”、“上方”、“在…之上”等空间相关术语。除了图中描绘的方向之外，空间相对术语旨在涵盖设备在使用或操作中的不同方向。该装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方向)，并且本文使用的空间相对描述符同样可以相应地解释。