[发明专利]具有空气内部间隔件的纳米结构晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成层堆叠，所述层堆叠包括：

多个半导体纳米结构；以及

多个牺牲层，其中，所述多个半导体纳米结构和所述多个牺牲层交替地布置；

使所述多个牺牲层横向凹陷以形成横向凹部；

在所述横向凹部中形成内部间隔件；以及

从所述多个半导体纳米结构外延生长源极/漏极区域，其中，所述源极/漏极区域通过空气内部间隔件与所述内部间隔件分隔开。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述内部间隔件具有面向所述空气内部间隔件的凹形外侧壁。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述内部间隔件之后，使所述多个半导体纳米结构横向凹陷。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述空气内部间隔件延伸到所述横向凹部中。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在生长所述源极/漏极区域之后，去除所述多个牺牲层；以及

形成栅极堆叠，所述栅极堆叠延伸到由已去除的多个牺牲层留下的空间中。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述空气内部间隔件中的一个延伸到所述内部间隔件中的一个中。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述内部间隔件包括：

沉积延伸到所述横向凹部中的电介质层；以及

蚀刻所述电介质层，其中，所述电介质层的剩余部分形成所述内部间隔件。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述空气内部间隔件中的一个具有两个端部以及比所述两个端部更宽的中间部分。

9.一种集成电路结构，包括：

多个半导体纳米结构，其中，所述多个半导体纳米结构中的上部半导体纳米结构与所述多个半导体纳米结构中的对应下部半导体纳米结构重叠；

栅极堆叠，包括将所述多个半导体纳米结构彼此分隔开的部分；

内部间隔件，用于将所述多个半导体纳米结构彼此分隔开；以及

源极/漏极区域，位于所述多个半导体纳米结构的一侧，其中，所述源极/漏极区域通过空气内部间隔件与所述内部间隔件分隔开。

10.一种集成电路结构，包括：

第一半导体层；

第二半导体层，位于所述第一半导体层之上并与所述第一半导体层在竖直方向上分隔开；

电介质内部间隔件，位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间并且实体地接触所述第一半导体层和所述第二半导体层；

栅极堆叠，包括位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间并且实体地接触所述第一半导体层和所述第二半导体层的部分；

空气内部间隔件；以及

半导体区域，其中，所述电介质内部间隔件和所述半导体区域两者都暴露于所述空气内部间隔件。