[发明专利]一种高熵碳化物陶瓷粉体及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种高熵碳化物陶瓷粉体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将金属氧化物粉体和碳粉混合进行研磨，得到混合粉体；所述金属氧化物粉体由WO₃粉体、Ta₂O₅粉体、HfO₂粉体、MoO₃粉体、Nb₂O₅粉体、ZrO₂粉体、Cr₂O₃粉体、V₂O₅粉体、TiO₂粉体中的至少四种组成；

2)将混合粉体平铺在石墨加热元件上，再用碳纸将混合粉体覆盖和固定，再置于保护气氛中进行电场烧结，即得高熵碳化物陶瓷粉体；

步骤2)所述石墨加热元件的大小规格为长120mm～150mm、宽10mm～30mm、厚1mm～3mm；

所述石墨加热元件为等静压成型石墨板；

步骤2)所述电场烧结的具体操作为：在石墨加热元件两端接通固定功率为2.0kW～3.5kW、电流≤250A的交流电，通电5s～30s。

2.根据权利要求1所述的高熵碳化物陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：步骤1)所述金属氧化物粉体由WO₃粉体、Ta₂O₅粉体、HfO₂粉体、MoO₃粉体、Nb₂O₅粉体、ZrO₂粉体、Cr₂O₃粉体、V₂O₅粉体、TiO₂粉体中的至少四种按照金属元素等摩尔比混合而成。

3.根据权利要求1或2所述的高熵碳化物陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：步骤1)所述金属氧化物粉体中金属原子的总物质的量与碳粉的物质的量的比为1:1。

4.根据权利要求1或2所述的高熵碳化物陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：步骤1)所述WO₃粉体、Ta₂O₅粉体、HfO₂粉体、MoO₃粉体、Nb₂O₅粉体、ZrO₂粉体、Cr₂O₃粉体、V₂O₅粉体、TiO₂粉体的粒径均为1μm～3μm，纯度均≥99.9％。

5.根据权利要求1或2所述的高熵碳化物陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：步骤1)所述碳粉的粒径≤2μm，纯度≥99.95％。

6.根据权利要求1所述的高熵碳化物陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：步骤2)所述保护气氛为氩气气氛。