[发明专利]寻找多颗粒的公共最佳读取电压的方法、存储系统

权利要求书

1.一种寻找多颗粒的公共最佳读取电压的方法，其特征在于，包括：

获取多颗粒中各个块在不同读写温度和/或不同P/E循环次数下的电压分布；

确定所述多颗粒中所有块的最佳读取电压；

根据所述多颗粒中所有块的最佳读取电压获取不同最佳读取电压对应的块的数量；以及

根据所述不同最佳读取电压对应的块的数量选取出现次最多的最佳读取电压为公共最佳读取电压。

2.根据权利要求1所述的寻找多颗粒的公共最佳读取电压的方法，其特征在于，获取多颗粒中各个块在不同读写温度和/或不同P/E循环次数下的电压分布的步骤，还包括：

获取以下组中的一种或多种的组合的电压分布：

在低温写入高温读取时的电压分布；

在低温写入常温读取时的电压分布；

在低温写入低温读取时的电压分布；

在常温写入高温读取时的电压分布；

在常温写入常温读取时的电压分布；

在常温写入低温读取时的电压分布；

在高温写入高温读取时的电压分布；

在高温写入常温读取时的电压分布；

在高温写入低温读取时的电压分布；

其中，所述低温表示温度低于0℃，所述常温表示温度范围为20℃～25℃，所述高温表示温度高于70℃；

获取以下组中的一种或多种的电压分布：

在未进行P/E循环时的电压分布；

已进行预定次数的P/E循环时的电压分布。

3.根据权利要求1所述的寻找多颗粒的公共最佳读取电压的方法，其特征在于，确定所述多颗粒中所有块的最佳读取电压的步骤，还包括：获取每个块的所有页面的最高错误位计数所对应的电压，并且选择所述所有页面的最高错误位计数中的最小值对应的电压为最佳读取参考电压。

4.根据权利要求1所述的寻找多颗粒的公共最佳读取电压的方法，其特征在于，确定所述多颗粒中所有块的最佳读取电压的步骤，还包括：获取每个块的所有页面中不引起UECC的最高错误位计数对应的第一边界电压以及不引起UECC的最高错误位计数对应的第二边界电压，将所述第一边界电压和所述第二边界电压的中心值作为最佳读取参考电压。

5.根据权利要求1所述的寻找多颗粒的公共最佳读取电压的方法，其特征在于，还包括：将所述多颗粒中超出所述公共最佳读取电压预定范围的块确定为坏块。

6.一种存储系统，其特征在于，包括：

一个或多个存储颗粒；

与所述一个或多个存储颗粒耦合的存储器控制器，所述存储器控制器被配置为执行以下步骤：

获取多颗粒中各个块在不同读写温度和/或不同P/E循环次数下的电压分布；

确定所述多颗粒中所有块的最佳读取电压；

根据所述多颗粒中所有块的最佳读取电压获取不同最佳读取电压对应的块的数量；以及

根据所述不同最佳读取电压对应的块的数量选取出现次最多的最佳读取电压为公共最佳读取电压。

7.根据权利要求6所述的存储系统，其特征在于，所述控制器获取多颗粒中各个块在不同读写温度和/或不同P/E循环次数下的电压分布的步骤，还包括：

获取以下组中的一种或多种的组合的电压分布：

在低温写入高温读取时的电压分布；

在低温写入常温读取时的电压分布；

在低温写入低温读取时的电压分布；

在常温写入高温读取时的电压分布；

在常温写入常温读取时的电压分布；

在常温写入低温读取时的电压分布；

在高温写入高温读取时的电压分布；

在高温写入常温读取时的电压分布；

在高温写入低温读取时的电压分布；

其中，所述低温表示温度低于0℃，所述常温表示温度范围为20℃～25℃，所述高温表示温度高于70℃；

获取以下组中的一种或多种的电压分布：

在未进行P/E循环时的电压分布；

已进行预定次数的P/E循环时的电压分布。