[发明专利]一种用于金属或合金表面的复合薄膜、其制备方法及应用有效
申请号: | 202210794674.8 | 申请日: | 2022-07-07 |
公开(公告)号: | CN115094382B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 吉小超;于鹤龙;魏敏;史佩京;张伟;宋占永;周新远;王红美;尹艳丽 | 申请(专利权)人: | 佛山科学技术学院;中国人民解放军陆军装甲兵学院;河北京津冀再制造产业技术研究有限公司 |
主分类号: | C23C14/16 | 分类号: | C23C14/16;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/02;C23C14/32;G01M13/00;G01N33/28 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张柳 |
地址: | 528011 *** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 金属 合金 表面 复合 薄膜 制备 方法 应用 | ||
1.一种用于金属或合金表面的复合薄膜,包括:
复合在金属或合金表面的感应层A;所述感应层包括TiAlN-Hf薄膜;
复合在所述感应层A上的感应层B;所述感应层B包括TiAlN-Ag薄膜;
复合在所述感应层B上的表面层;
所述表面层中不含有Ag元素和Hf元素。
2.根据权利要求1所述的复合薄膜,其特征在于,所述感应层A中,Hf的原子百分含量≥2%;
所述感应层B中,Ag的原子百分含量≥2%;
所述表面层包括TiAlN基薄膜、碳基硬膜或氮化物薄膜;
所述TiAlN基薄膜包括TiAlSiN薄膜、TiAlCrN薄膜或TiAlMoN薄膜;所述碳基硬膜包括DLC薄膜或金刚石薄膜;所述氮化物薄膜包括CrN薄膜或TiN薄膜。
3.一种权利要求1~2任意一项所述的用于金属或合金表面的复合薄膜的制备方法,包括以下步骤:
A)基体预处理:对基体进行打磨抛光和超声波清洗;所述基体包括金属或合金;
B)采用脉冲磁控溅射技术在预处理后的基体表面沉积感应层A;
C)采用脉冲磁控溅射技术在感应层A的表面沉积感应层B;
D)采用PVD工艺或CVD工艺在感应层B的表面沉积表面层,得到复合薄膜。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤A)中,所述打磨抛光包括:
采用金刚石打磨片对基体进行逐级打磨,再使用金刚石抛光液对打磨后基体表面进行抛光处理;
所述打磨抛光后的基体表面的平均粗糙度Ra≤0.01μm;
所述超声波清洗包括:
将所述打磨抛光后的基体先采用金属粉末清洁剂超声清洗,再采用无水乙醇进行超声波清洗;
所述超声波清洗的温度为45~65℃。
5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤B)中,采用脉冲磁控溅射技术在预处理后的基体表面沉积感应层A前,还包括:
先用10~20kW的Ar离子轰击预处理后的基体表面;
采用脉冲磁控溅射技术在预处理后的基体表面沉积感应层A包括:
将预处理后的基体固定在旋转式行星样品架的可升降样品托上,将尺寸均为Ф30mm×8mm的圆柱形Al靶、Ti靶和Hf靶固定在电极上形成复合靶材,以2~5r/min的转速旋转样品架,采用脉冲磁控溅射技术在预处理后的基体表面沉积TiAlN-Hf薄膜,得到感应层A;
所述Al靶的数量为10,Ti靶的数量为10,Hf靶的数量为1~3;
所述可升降样品托的高度不超过40cm,旋转式行星样品架中心与电极的距离为40~60cm。
6.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤B)中,感应层A的沉积参数包括:
基体温度为320~380℃;本底真空度≤5×10-3Pa;脉冲偏压为-120~-80V;功率为18~22kW;磁控靶电流为25~35A;磁控靶电压为720~800V;工作气氛流量中,氮气的流量为60~70sccm,氩气的流量为80~90sccm;气压为0.5~5Pa;占空比为70%~90%;频率为70~90kHz。
7.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤C)中,采用脉冲磁控溅射技术在感应层A的表面沉积感应层B包括:
将步骤B)得到的复合层固定在旋转式行星样品架的可升降样品托上,将尺寸均为Ф30mm×8mm的圆柱形Al靶、Ti靶和Ag靶固定在电极上形成复合靶材,以2~5r/min的转速旋转样品架,采用脉冲磁控溅射技术在预处理后的基体表面沉积TiAlN-Ag薄膜,得到感应层B;
所述Al靶的数量为10,Ti靶的数量为10,Ag靶的数量为1~3;
所述可升降样品托的高度不超过40cm,旋转式行星样品架中心与电极的距离为40~60cm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山科学技术学院;中国人民解放军陆军装甲兵学院;河北京津冀再制造产业技术研究有限公司,未经佛山科学技术学院;中国人民解放军陆军装甲兵学院;河北京津冀再制造产业技术研究有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210794674.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种定距跟拍装置
- 下一篇:一种基于高空抛物的溯源追踪系统及其追踪方法
- 同类专利
- 专利分类