[发明专利]直流溅射方法及直流溅射装置在审

专利信息
申请号: 202210795406.8 申请日: 2022-07-07
公开(公告)号: CN114959623A 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 周张琪;李志华 申请(专利权)人: 广州粤芯半导体技术有限公司
主分类号: C23C14/54 分类号: C23C14/54;C23C14/34
代理公司: 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 代理人: 郑星
地址: 510000 广东省广州*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 直流 溅射 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种直流溅射方法,利用直流溅射装置的直流电源执行直流溅射工艺,其特征在于,包括:

对置于所述直流溅射装置中的基板执行所述直流溅射工艺,执行所述直流溅射工艺时通过监测所述直流溅射装置的溅射电流是否大于设定电流以判定所述直流溅射工艺是否发生电弧放电,所述设定电流大于所述直流溅射工艺的标准电流;

若发生电弧放电则发出异常信号,并响应于所述异常信号而切断所述直流电源以进行熄弧处理,并于预定时间后再继续执行所述直流溅射工艺。

2.根据权利要求1所述的直流溅射方法,其特征在于,所述设定电流包括第一设定电流,监测到所述溅射电流大于所述第一设定电流即发出所述异常信号。

3.根据权利要求2所述的直流溅射方法,其特征在于,所述设定电流还包括第二设定电流,所述第二设定电流小于所述第一设定电流,监测到在设定时间内所述溅射电流大于或等于所述第二设定电流且小于或等于所述第一设定电流的次数大于预设次数即发出所述异常信号。

4.根据权利要求3所述的直流溅射方法,其特征在于,所述第一设定电流为所述标准电流的1.06~1.1倍,所述第二设定电流为所述标准电流的1.03~1.05倍。

5.根据权利要求4所述的直流溅射方法,其特征在于,所述溅射电流的采样频率大于或等于2赫兹,所述设定时间为5秒~15秒,所述预设次数为3次~10次。

6.根据权利要求4中任一项所述的直流溅射方法,其特征在于,所述预定时间为2秒~5秒。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的直流溅射方法,其特征在于,所述直流溅射装置包括靶材,所述电弧放电为发生在所述基板的表面的电弧放电和/或发生在所述靶材的表面的电弧放电。

8.根据权利要求7所述的直流溅射方法,其特征在于,所述直流溅射装置还包括真空腔体,执行所述直流溅射工艺时,还通过监测所述真空腔体的电压的变化以判定是否发生电弧放电。

9.一种直流溅射装置,其特征在于,包括:

真空腔体;

靶材,设置于所述真空腔体内;

直流电源,与所述靶材电连接,用于提供溅射电流;

监测单元,用于在执行直流溅射工艺时监控所述溅射电流是否大于设定电流以判定所述真空腔体内是否发生电弧放电,并在发生所述电弧放电时发出异常信号,所述设定电流大于所述直流溅射工艺的标准电流;以及,

控制单元,用于获取所述异常信号并切断所述直流电源以进行熄弧处理,并于预定时间后重启所述直流电源以继续执行所述直流溅射工艺。

10.根据权利要求9所述的直流溅射装置,其特征在于,所述监测单元包括设备自动化单元及故障监测分类单元,利用所述设备自动化单元将所述溅射电流数据提供给所述故障监测分类单元以判定所述真空腔体内发生电弧放电。

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