[发明专利]一种半导体器件制造方法及装置

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀的半导体器件材料，将所述半导体器件材料置于反应腔内，所述半导体器件材料形成有预处理沟道区；

将所述半导体器件材料进行预刻蚀处理，清除所述预处理沟道区中的杂质，得到预刻蚀半导体器件；

将所述预刻蚀半导体器件进行主刻蚀处理，得到所述主刻蚀半导体器件，所述主半导体器件中形成有主刻蚀沟道区；

将所述主刻蚀沟道区进行后刻蚀处理，清除所述主刻蚀沟道区中的杂质，得到刻蚀后的半导体器件。

2.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在所述将所述半导体器件材料进行预刻蚀处理的步骤之前，还包括：

将与所述反应腔相连的源射频电源和偏压射频电源的功率都调整为0；

根据第一设定参数，向所述反应腔内通入第一刻蚀气体，使所述反应腔内的气压和所述第一刻蚀气体的流量，均与所述第一设定参数相匹配。

3.根据权利要求2所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述第一设定参数包括第一刻蚀气体成分、第一气压值及第一流量值，所述第一刻蚀气体成分包括氟基气体和氧气，所述第一气压值为40～90mTorr，所述第一流量值包括氟基气体流量值和氧气流量值，所述氟基气体流量值为300～1000sccm，所述氧气流量值大于或等于5000sccm。

4.根据权利要求2所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述将所述半导体器件材料进行预刻蚀处理的步骤，还包括：

将所述源射频电源和所述偏压射频电源的功率调整为3000～8000W，并使所述源射频电源和所述偏压射频电源的功率相同。

5.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在所述将所述预刻蚀半导体器件进行主刻蚀处理的步骤之前，还包括：

将与所述反应腔相连的源射频电源和偏压射频电源的功率都调整为0；

根据第二设定参数，向所述反应腔内通入第二刻蚀气体和保护气体，使所述反应腔内的气压、所述第二刻蚀气体的流量及所述保护气体的流量，均与所述第二设定参数相匹配。

6.根据权利要求5所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述第二设定参数包括第二刻蚀气体成分、第二气压值及第二流量值，所述第二刻蚀气体成分包括氟基气体，所述第二气压值为30～70mTorr，所述第二流量值包括氟基气体流量值和保护气体流量值，所述氟基气体流量值为500～2000sccm，所述保护气体流量值为1000～2000sccm。

7.根据权利要求5所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述将所述预刻蚀半导体器件进行主刻蚀处理的步骤，还包括：

将所述源射频电源和所述偏压射频电源的功率调整为2000～7000W，并使所述源射频电源的功率小于所述偏压射频电源的功率。

8.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在所述将所述主刻蚀沟道区进行后刻蚀处理的在步骤之前，还包括：

将与所述反应腔相连的源射频电源和偏压射频电源的功率都调整为0；

根据第三设定参数，向所述反应腔内通入第三刻蚀气体，使所述反应腔内的气压和所述第三刻蚀气体的流量，均与所述第二设定参数相匹配。

9.根据权利要求8所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述第三设定参数包括第三刻蚀气体成分、第三气压值及第三流量值，所述第三刻蚀气体成分包括氧气，所述第三气压值为大于或等于70mTorr，所述第三流量值大于或等于6000sccm。

10.根据权利要求8所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述将所述主刻蚀沟道区进行后刻蚀处理的步骤，还包括：

将所述源射频电源和所述偏压射频电源的功率调整为5000～10000W，并使所述源射频电源和所述偏压射频电源的功率相同。

11.一种半导体器件制造装置，其特征在于，用于权利要求1至10任一项所述的半导体器件制造方法，包括：

反应腔，用于收容刻蚀气体；

第一电极，位于所述反应腔内的一端；

第二电极，位于所述反应腔内的另一端，并与所述第一电极相对设置；

源射频电源，与所述第二电极电连接；

偏压射频电源，与所述第二电极电连接；待刻蚀的半导体器件材料位于所述第二电极上。