[发明专利]半导体装置及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：

半导体器件结构；

钝化层，覆盖于所述半导体器件结构上；

第一平坦化层，覆盖于所述钝化层上，所述第一平坦化层具有平整的上表面，所述第一平坦化层和所述钝化层在所述半导体器件结构的电极上方具有镂空窗口；

金属互联层，位于所述第一平坦化层的上表面，并通过所述镂空窗口与所述半导体器件结构的电极相连；

导热体，位于所述金属互联层之上并与所述金属互联层接触，所述导热体包括主柱体及连接体，所述主柱体一端连接所述金属互联层，另一端上设置所述连接体；

第二平坦化层，覆盖于所述金属互联层之上，且所述导热体穿透所述第二平坦化层而显露于所述第二平坦化层之上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述半导体器件结构包括衬底以及位于所述衬底上的功能层，所述功能层上设置有电极，所述电极用于所述功能层的电性连接。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：所述衬底包括氮化镓衬底，所述功能层包括氮化镓基的半导体功能层，所述氮化镓基的半导体功能层包括绝缘氮化镓层、n型氮化镓层及p型氮化镓层中的一种或两种以上的组合。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述半导体器件结构包括高电子迁移率晶体管HEMT和金属-氧化物-半导体场效应晶体管MOSFET中的一种。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述钝化层包括氮化硅层。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第一平坦化层的厚度为8～12微米，所述第一平坦化层的材质为聚对苯撑苯并二恶唑PBO，所述第二平坦化层的材质为聚对苯撑苯并二恶唑PBO。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述导热体的主柱体的材质与所述金属互联层的材质相同，所述导热体的主柱体与所述金属互联层通过扩散连接，以降低所述导热体的主柱体与所述金属互联层的热阻。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：所述导热体的所述连接体的材质为焊料，所述导热体的所述主柱体用于热量传输及电学传输，所述连接体用于与外部线路或外部芯片连接，将热量通过外部线路或外部芯片导出至外部散热结构。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于：所述导热体的主柱体的材质与所述金属互联层的材质为铜，所述连接体的材质为银锡合金。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述金属互联层上的所述导热体设置为多个，多个所述导热体间隔设置于所述金属互联层上。

11.一种如权利要求1～10任意一项所述的半导体装置的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供一半导体器件结构；

于所述半导体器件结构上覆盖钝化层；

于所述钝化层上覆盖第一平坦化层，所述第一平坦化层具有平整的上表面，于所述第一平坦化层和所述钝化层在所述半导体器件结构的电极上方形成镂空窗口；

于所述第一平坦化层的上表面及所述镂空窗口中形成金属互联层，且所述金属互联层与所述半导体器件结构的电极相连；

于所述金属互联层之上覆盖第二平坦化层，并在所述第二平坦化层中形成显露所述金属互联层的窗口；

于所述窗口中的所述金属互联层之上形成与所述金属互联层接触的导热体，所述导热体包括主柱体及连接体，所述主柱体一端连接所述金属互联层，另一端上设置所述连接体。