[发明专利]晶体管、制备方法及显示面板

权利要求书

1.一种晶体管，其特征在于，包括：

栅极，所述栅极包括多个相互间隔的镂空区域；

半导体层，所述半导体层至少包括填充于所述镂空区域的第一部分；

漏极和源极，分别设置于所述半导体层在厚度方向上的两侧；

第一绝缘层，设置于所述栅极在厚度方向上靠近所述源极一侧的表面；

第二绝缘层，设置于所述栅极在厚度方向上靠近所述漏极一侧的表面。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，

所述半导体层还包括第二部分，所述第二部分和所述第一部分在厚度方向上层叠设置，所述第二部分在所述栅极所在平面上的正投影覆盖所述第一部分和所述第二部分。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，

所述第二部分设置于所述栅极与所述源极之间，和/或，所述第二部分设置于所述栅极与所述漏极之间。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，还包括：

发光结构；

所述发光结构设置于所述半导体层与所述漏极之间，或，所述发光结构设置于所述半导体层与所述源极之间。

5.根据权利要求4所述的晶体管，其特征在于，所述发光结构包括：

空穴传输层；

发光层；

电子传输层；

所述发光层设置于所述空穴传输层与所述电子传输层之间，所述电子传输层设置于所述发光层与所述半导体层之间。

6.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅极包括多个镂空区域。

7.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅极的材料功函数大于所述半导体层的材料功函数。

8.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅极的材料功函数大于3eV。

9.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅极包括金属层和至少两层金属氧化物层，所述金属氧化物层设置于所述金属层的两侧，所述金属氧化物层的材料功函数大于所述金属层的材料功函数；和/或，

所述栅极包括至少两层不同金属材料的堆叠。

10.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述镂空区域的尺寸小于或等于1μm。

11.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述半导体层的材料为p型材料，所述栅极用于接入正电压信号；或，

所述半导体层的材料为n型材料，所述栅极用于接入负电压信号。

12.一种晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

分别设置半导体层、源极、漏极、第一绝缘层、第二绝缘层和栅极，其中，所述漏极和所述源极分别设置于所述半导体层在厚度方向上的两侧，所述栅极包括多个相互间隔的镂空区域，所述半导体层至少包括填充于所述镂空区域的第一部分，所述第一绝缘层设置于所述栅极在厚度方向上靠近所述源极一侧的表面，所述第二绝缘层设置于所述栅极在厚度方向上靠近所述漏极一侧的表面。

13.根据权利要求12所述的晶体管的制备方法，其特征在于，所述分别设置半导体层、源极、漏极、第一绝缘层、第二绝缘层和栅极，包括：

设置所述源极；

在所述源极的一侧设置发光结构；

在所述发光结构远离所述源极的一侧设置支撑球层，其中，所述支撑球层包括多个支撑球，所述支撑球分散于所述发光结构远离所述源极一侧的表面；

依次设置所述第一绝缘层、所述栅极和所述第二绝缘层，其中，所述第一绝缘层、所述栅极和所述第二绝缘层依次填充于相邻的所述支撑球之间；

去除所述支撑球层，以在所述支撑球所在的区域形成所述镂空区域；

分别设置所述半导体层和所述漏极，以使所述半导体层的所述第一部分填充于所述镂空区域，以及所述漏极位于所述半导体层远离所述源极的一侧。

14.一种显示面板，其特征在于，包括：

多个如权利要求1-11中任一项所述的晶体管。