[发明专利]一种高瞬发度可反应复合薄膜换能元

权利要求书

1.一种高瞬发度可反应复合薄膜换能元，其特征在于，由下向上依次包括基底、绝缘层、单晶硅桥、粘附层、金属焊盘、隔离层、可反应复合薄膜，所述基底的上表面有绝缘层，所述绝缘层上表面为单晶硅层，单晶硅层的中间部分刻蚀形成单晶硅桥，所述单晶硅桥两侧的单晶硅层上表面均设置粘附层和金属焊盘，所述金属焊盘、单晶硅桥的上方覆盖隔离层，所述隔离层上方沉积可变调制周期的可反应复合薄膜；所述可反应复合薄膜的调制周期是可调节的，与隔离层接触的第一调制周期为20~50nm，第二调制周期为70~100nm，按照50~100nm步长，逐渐增加调制周期，直至镀膜到最终设定厚度；所述粘附层的材料为Ti或Cr；所述隔离层的材料为SiO₂或Si₃N₄。

2.根据权利要求1所述的一种高瞬发度可反应复合薄膜换能元，其特征在于，所述单晶硅桥桥区的形状为梭形；所述金属焊盘的材料为Au或Al。

3.根据权利要求1所述的一种高瞬发度可反应复合薄膜换能元，其特征在于，所述可反应复合薄膜为金属氧化物纳米复合薄膜和合金化反应薄膜。

4.根据权利要求1所述的一种高瞬发度可反应复合薄膜换能元，其特征在于，所述可反应复合薄膜含有预混层，预混层厚度通过真空烘箱的温度和时间进行调控。

5.根据权利要求1所述的一种高瞬发度可反应复合薄膜换能元，其特征在于，所述隔离层的厚度为50~280nm。

6.根据权利要求1所述的一种高瞬发度可反应复合薄膜换能元，其特征在于，所述单晶硅桥、绝缘层和基底采用单晶SOI晶圆。

7.根据权利要求1所述的一种高瞬发度可反应复合薄膜换能元，其特征在于，所述隔离层、可反应复合薄膜材料通过磁控溅射的方式制备，制备时需要不低于3个溅射枪。

8.根据权利要求1所述的一种高瞬发度可反应复合薄膜换能元，其特征在于，所述隔离层需完全覆盖单晶硅桥区，隔离层面积小于硅基底面积且大于可反应复合薄膜的面积。