[发明专利]一种中红外移相器

权利要求书

1.一种中红外移相器，其特征在于：

包括衬底(1-1)；

包括平板光波导(1-2)，形成在衬底(1-1)之上；

包括图形化加热层(1-3)，位于平板光波导(1-2)的中部上；

包括脊波导(1-5)，形成在平板光波导(1-2)和图形化加热层(1-3)的中间上；

包括两个图形化电极(1-4)，分别形成在图形化加热层(1-3)的两侧上；

包括包层(1-6)，形成于脊波导(1-5)上。

2.根据权利要求1所述的一种中红外移相器，其特征在于：

所述的脊波导(1-5)位于平板光波导(1-2)上，硫系包层形成在平板光波导(1-2)上，且包覆图形化加热层(1-3)、图形化电极(1-4)和脊波导(1-5)。

3.根据权利要求1所述的一种中红外移相器，其特征在于：

还包括两个图形化电极(1-4)，两个图形化电极(1-4)分别经各自的一个电极引出结构(1-7)连接到外部的电极控制电路(1-8)。

4.根据权利要求1所述的一种中红外移相器，其特征在于：

所述图形化加热层(1-3)的材质为石墨烯。

5.根据权利要求1所述的一种中红外移相器，其特征在于：

所述脊波导(1-5)的材质为高折射率硫系玻璃材料，高折射率是指折射率与硅相近。

6.根据权利要求1所述的一种中红外移相器，其特征在于：

所述包层(1-6)的材质为低折射率硫系玻璃材料，低折射率是指折射率小于脊波导(1-5)的折射率。