[发明专利]一种硅基二维氮化镓及其范德华外延制备方法、应用在审
| 申请号： | 202210799338.2 | 申请日： | 2022-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN115295397A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 何军;程瑞清;尹蕾;文耀;姜健 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B25/18;C30B29/40 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 李景 |
| 地址： | 430072*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二维 氮化 及其 范德华 外延 制备 方法 应用 | ||
1.一种硅基二维氮化镓的范德华外延制备方法，其特征在于，包括：以镓金属或氧化镓作为镓源，以尿素作为氮源，以表面带有范德华材料的硅片作为生长基底，利用气相沉积法制备得到硅基二维氮化镓材料。
2.根据权利要求1所述的硅基二维氮化镓的范德华外延制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
在硅片A的表面制备范德华材料，得到硅片-范德华材料复合基底；
将镓源压印在硅片B的表面，得到金属镓膜，静置，形成氧化镓膜；
将硅片-范德华材料复合基底倒扣在氧化镓膜的上方，之后共同放置在双温区管式炉的后温区，将氮源置于双温区管式炉的前温区，在氢气-氩气的混合氛围中加热反应，反应结束后冷却，即得到硅基二维氮化镓材料。
3.根据权利要求1或2所述的硅基二维氮化镓的范德华外延制备方法，其特征在于，所述范德华材料选用云母、氮化硼或石墨的任一种。
4.根据权利要求2所述的硅基二维氮化镓的范德华外延制备方法，其特征在于，双温区管式炉前温区的温度设置为130-180℃，双温区管式炉后温区的温度设置为800-1050℃。
5.根据权利要求2所述的硅基二维氮化镓的范德华外延制备方法，其特征在于，范德华材料的厚度为0.3-100nm。
6.根据权利要求2所述的硅基二维氮化镓的范德华外延制备方法，其特征在于，氢气的流量为10-50sccm，氩气的流量为40-200sccm。
7.根据权利要求2所述的硅基二维氮化镓的范德华外延制备方法，其特征在于，硅片-范德华材料复合基底与氧化镓膜之间间隔0.3-3mm。
8.根据权利要求2所述的硅基二维氮化镓的范德华外延制备方法，其特征在于，采用机械剥离法或气相沉积法在硅片A的表面制备范德华材料。
9.一种硅基二维氮化镓，其特征在于，利用权利要求1-2任一项所述的制备方法制得。
10.权利要求9所述硅基二维氮化镓的应用，其特征在于，所述硅基二维氮化镓用于制备光电探测器。
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