[发明专利]立方氮化硼烧结体和涂覆立方氮化硼烧结体在审
| 申请号： | 202210799833.3 | 申请日： | 2022-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN115716752A | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 福岛雄一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社泰珂洛 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/5831;C04B35/622;C04B35/645;C04B41/89;C04B41/87 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 吴君琴 |
| 地址： | 日本福岛县磐*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 立方 氮化 烧结 | ||
【权利要求书】：
1.一种立方氮化硼烧结体，包含立方氮化硼和结合相,
所述立方氮化硼的含量为40体积百分比(体积％)以上70体积百分比以下；
所述结合相的含量为30体积百分比以上60体积百分比以下；
所述立方氮化硼的平均粒径为0.1μm以上3.0μm以下；
所述结合相包含TiN和/或TiCN、和TiB2，基本上不包含AlN和/或Al2O3；
所述结合相中的TiB2的(101)面的X射线衍射中最大的峰位置(2θ)为44.2°以上；
当所述立方氮化硼的(111)面的X射线衍射强度为I1、所述结合相中的TiB2的(101)面的X射线衍射强度为I2时，I2/I1为0.10以上0.55以下。
2.根据权利要求1所述的立方氮化硼烧结体，其中，所述结合相中的Ti化合物(TiB2除外)的(200)面的X射线衍射中最大的峰位置(2θ)为42.1°以上。
3.一种涂覆立方氮化硼烧结体，所述涂覆立方氮化硼烧结体包含权利要求1或权利要求2所述的立方氮化硼烧结体和形成于该立方氮化硼烧结体的表面的涂层。
4.根据权利要求3所述的涂覆立方氮化硼烧结体，其中，所述涂层整体的平均厚度为0.5μm以上6.0μm以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社泰珂洛，未经株式会社泰珂洛许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210799833.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
