[发明专利]一种介孔中半导体材料的形貌表征方法

权利要求书

1.一种介孔中半导体材料的形貌表征方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)取待测材料，在所述待测材料表面贴覆胶层，撕下所述胶层，得到粘附有介孔材料的第一纹理胶层；

(2)在步骤(1)得到的所述待测材料表面贴覆胶层，撕下所述胶层，得到粘附有介孔材料的第二纹理胶层；

(3)重复贴覆胶层、撕下胶层的步骤，直至得到的纹理胶层上无介孔材料的痕迹，得到第n纹理胶层；

(4)根据步骤(1)至步骤(3)中得到的纹理胶层，按照从第一纹理胶层至第n纹理胶层的顺序，得到n个剥离图片，对所述剥离图片进行处理，获得介孔中半导体材料的生长形貌。

2.根据权利要求1所述的介孔中半导体材料的形貌表征方法，其特征在于，所述待测材料的介孔材料为多孔碳、多孔氧化锆或多孔氧化钛；所述待测材料的半导体材料为钙钛矿材料。

3.根据权利要求2所述的介孔中半导体材料的形貌表征方法，其特征在于，所述待测材料通过如下方法得到：

将所述介孔材料的溶液通过丝网印刷形成湿膜，再置于400-500℃的温度下烧结，以除去所述湿膜中的可挥发有机成分，得到多孔骨架的介孔材料，然后，将所述半导体材料的溶液涂覆于多孔骨架的介孔材料上，使所述半导体材料在介孔材料中结晶生长，即得到待测材料。

4.根据权利要求1所述的介孔中半导体材料的形貌表征方法，其特征在于，所述胶层为聚酰亚胺胶带、BOPP胶带、纤维胶带中的一种。

5.根据权利要求1所述的介孔中半导体材料的形貌表征方法，其特征在于，步骤(3)中，所述第n纹理胶层的n≥10。

6.根据权利要求1所述的介孔中半导体材料的形貌表征方法，其特征在于，步骤(4)中，采用相机或显微镜获得剥离图片。

7.根据权利要求1所述的介孔中半导体材料的形貌表征方法，其特征在于，步骤(4)中，对所述剥离图片进行处理包括：将得到的n个剥离图片进行堆叠成像，得到三维形貌图，即获得介孔中半导体材料的生长形貌。

8.根据权利要求7所述的介孔中半导体材料的形貌表征方法，其特征在于，还包括对所述半导体材料的形貌进行表征的步骤：根据灰度值或灰度级区分所述三维形貌图中的半导体材料及介孔材料。

9.根据权利要求8所述的介孔中半导体材料的形貌表征方法，其特征在于，所述半导体材料的灰度值大于所述介孔材料的灰度值。

10.根据权利要求9所述的介孔中半导体材料的形貌表征方法，其特征在于，对所述半导体材料的形貌进行表征还包括：获得所述半导体材料在所述介孔材料中的填充情况和/或分布信息。