[发明专利]用于半导体样本制造的掩模检查

权利要求书

1.一种检查可用于制造半导体样本的掩模的计算机化系统，所述系统包括处理和存储器电路(PMC)，所述PMC被配置为：

获得表示所述掩模的至少部分的第一图像，其中所述第一图像是通过模拟可用于制造所述半导体样本的平版印刷工具的光学配置来获取的；

在所述第一图像上应用印刷阈值，从而产生第二图像，其中所述第二图像提供可印刷在所述半导体样本上的所述掩模的多个结构元件的信息；

估计来自所述多个结构元件的一组感兴趣结构元件(SEI)中的每个SEI的轮廓，并且提取表征所述轮廓的属性集，从而产生对应于所述一组SEI的一组轮廓以及与所述一组轮廓相关联的相应属性集；

对于所述一组轮廓中的每个给定轮廓，通过在与所述一组轮廓相关联的所述相应属性集之间进行比较来在所述一组轮廓中的其余轮廓中识别与所述给定轮廓相似的一个或多个参考轮廓；并且

测量所述给定轮廓与所述给定轮廓的所述一个或多个参考轮廓中的每个参考轮廓之间的偏差，从而产生一个或多个测量偏差，所述一个或多个测量偏差指示关于与所述给定轮廓相关联的SEI是否存在缺陷。

2.根据权利要求1所述的计算机化系统，其中所述掩模包括单个管芯的掩模场和刻划区域，并且所述掩模的所述至少部分包括所述单个管芯的至少部分和/或所述刻划区域的至少部分。

3.根据权利要求1所述的计算机化系统，其中所述掩模包括多个管芯的掩模场和刻划区域，并且所述掩模的所述至少部分包括所述刻划区域的至少部分。

4.根据权利要求1所述的计算机化系统，其中所述第一图像是通过被配置为模拟所述平版印刷工具的所述光学配置的光化检查工具获取的。

5.根据权利要求1所述的计算机化系统，其中所述第一图像是通过以下方式获得的：使用非光化检查工具获取图像，并且对所述图像执行模拟以模拟所述平版印刷工具的所述光学配置，从而产生所述第一图像。

6.根据权利要求1所述的计算机化系统，其中所述缺陷是指示所述给定轮廓与所述给定轮廓的预期位置的相对显著偏差的边缘位移。

7.根据权利要求1所述的计算机化系统，其中所述轮廓是使用边缘检测方法来估计的。

8.根据权利要求1所述的计算机化系统，其中所述属性集选自包括以下各项的组：由所述轮廓形成的区域、所述区域的宽度、所述区域的高度、沿所述轮廓的像素数、链码和重心。

9.根据权利要求1所述的计算机化系统，其中所述PMC被配置为通过以下方式测量偏差：

将所述给定轮廓分别与所述一个或多个参考轮廓配准，从而产生一对或多对经配准轮廓；

测量每对经配准轮廓的对应点之间的距离；并且

从所测量的距离中选择最大距离作为所述给定轮廓与所述一个或多个参考轮廓中的相应参考轮廓之间的测量偏差。

10.根据权利要求1所述的计算机化系统，其中所述PMC被进一步配置为基于所述一个或多个测量偏差导出组合偏差，对所述组合偏差应用偏差阈值，并且在所述组合偏差超过所述偏差阈值时报告缺陷的存在。

11.根据权利要求10所述的计算机化系统，其中所述PMC被进一步配置为提供对应于所述第一图像并指示所述掩模的所述至少部分上存在一个或多个缺陷及所述一个或多个缺陷的位置的缺陷图。

12.根据权利要求1所述的计算机化系统，其中所述PMC被配置为获得多个第一图像，每个第一图像表示所述掩模的相应部分，所述多个第一图像以预定义步长连续获取，使得所述多个第一图像的多个视场(FOV)不重叠，并且

其中所述PMC被配置为对所述多个第一图像中的每个第一图像执行所述应用、估计、识别和测量，并且提供对应于所述多个第一图像中的每个第一图像并指示所述掩模的所述相应部分上存在一个或多个缺陷的缺陷图，从而产生对应于所述多个第一图像的多个缺陷图。