[发明专利]蚀刻腔体的温度控制方法有效
| 申请号： | 202210806312.6 | 申请日： | 2022-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN115079748B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 陈泳 | 申请（专利权）人： | 杭州富芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G05D23/20 | 分类号： | G05D23/20 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 丁俊萍 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 温度 控制 方法 | ||
1.一种蚀刻腔体的温度控制方法，其特征在于，所述方法包括：
在蚀刻机台生产过程中出现宕机异常时，获得蚀刻腔体上部视窗的初始温度，开启视窗加热器以及关闭冷却装置，控制上部视窗温度自初始温度调整至预设温度并保温直至蚀刻机台恢复生产时，关闭视窗加热器及开启冷却装置，使上部视窗以预设升温速率升温至蚀刻工艺生产温度。
2.根据权利要求1所述的蚀刻腔体的温度控制方法，其特征在于，在蚀刻机台生产过程中出现宕机异常时，开启视窗加热器以及关闭冷却装置，通过PID算法控制上部视窗温度自初始温度升温至预设温度；蚀刻机台恢复生产时，关闭视窗加热器且开启冷却装置，停止使用PID算法控制上部视窗温度。
3.根据权利要求1所述的蚀刻腔体的温度控制方法，其特征在于，所述预设升温速率低于10℃/100s。
4.根据权利要求3所述的蚀刻腔体的温度控制方法，其特征在于，预设升温速率为3℃/100s。
5.根据权利要求1所述的蚀刻腔体的温度控制方法，其特征在于，预设温度和初始温度的温差大于等于0℃且小于等于10℃。
6.根据权利要求5所述的蚀刻腔体的温度控制方法，其特征在于，预设温度和初始温度的温差为5℃。
7.根据权利要求1所述的蚀刻腔体的温度控制方法，其特征在于，所述蚀刻腔体包括TCP蚀刻腔。
8.根据权利要求7所述的蚀刻腔体的温度控制方法，其特征在于，蚀刻工艺包括单晶硅蚀刻工艺和多晶硅蚀刻工艺中的任意一种。
9.根据权利要求1所述的蚀刻腔体的温度控制方法，其特征在于，上部视窗温度自初始温度调整至预设温度的时长为40s-50s。
10.根据权利要求1所述的蚀刻腔体的温度控制方法，其特征在于，所述冷却装置包括冷却水，蚀刻机台恢复生产时，开启的冷却水的流量为0.8gal/min。
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