[发明专利]一种用于薄膜滤波器的薄膜浓度掺杂方法

权利要求书

1.一种用于薄膜滤波器的薄膜浓度掺杂方法，其特征在于，所述薄膜浓度掺杂方法包括：

根据所述薄膜滤波器结构要求确定所述薄膜滤波器的压电层结构内部所需包含的掺钪压电子层的层数和每个掺钪压电子层的厚度；

依据所述压电层结构内部所需包含的掺钪压电子层的层数和厚度设置每个所述掺钪压电子层的掺钪浓度；

按照每个所述掺钪压电子层的掺钪浓度制备所述薄膜滤波器的每个晶圆的压电层；

其中，所述压电层结构包括三层掺钪压电子层式压电层和四层掺钪压电子层式压电层；

其中，当所述压电层结构为三层掺钪压电子层式压电层时，所述每个所述掺钪压电子层中的掺钪浓度的设置过程包括：

根据第三掺钪压电层（43）的厚度在所述第三掺钪压电层（43）的掺钪浓度范围内设置第三掺钪压电层（43）的掺钪浓度；

根据第二掺钪压电层（42）的厚度在所述第二掺钪压电层（42）的掺钪浓度范围内设置第二掺钪压电层（42）的掺钪浓度；

根据第一掺钪压电层（41）的厚度在所述第一掺钪压电层（41）的掺钪浓度范围内设置第一掺钪压电层（41）的掺钪浓度；

其中，所述第一掺钪压电层（41）的掺钪浓度范围为0.015-0.023；所述第二掺钪压电层（42）的掺钪浓度范围为0.010-0.018；所述第三掺钪压电层（43）的掺钪浓度范围为0.012-0.025。

2.根据权利要求1所述薄膜浓度掺杂方法，其特征在于，根据所述第三掺钪压电层（43）的厚度在所述第三掺钪压电层（43）的掺钪浓度范围内设置第三掺钪压电层（43）的掺钪浓度，包括：

当所述第三掺钪压电层（43）的整体厚度范围为140nm-210nm时，所述第三掺钪压电层（43）的掺钪浓度为0.018-0.025；

当所述第三掺钪压电层（43）的整体厚度范围为70nm-140nm时，所述第三掺钪压电层（43）的掺钪浓度为0.012-0.018。

3.根据权利要求1所述薄膜浓度掺杂方法，其特征在于，根据所述第二掺钪压电层（42）的厚度在所述第二掺钪压电层（42）的掺钪浓度范围内设置第二掺钪压电层（42）的掺钪浓度，包括：

当所述第二掺钪压电层（42）的整体厚度范围为90nm-120nm时，所述第二掺钪压电层（42）的掺钪浓度为0.015-0.018；

当所述第二掺钪压电层（42）的整体厚度范围为120nm-180nm时，所述第二掺钪压电层（42）的掺钪浓度为0.010-0.015。

4.根据权利要求1所述薄膜浓度掺杂方法，其特征在于，根据所述第一掺钪压电层（41）的厚度在所述第一掺钪压电层（41）的掺钪浓度范围内设置第一掺钪压电层（41）的掺钪浓度，包括：

当所述第一掺钪压电层（41）的整体厚度范围为12nm-30nm时，所述第一掺钪压电层（41）的掺钪浓度为0.019-0.023；

当所述第一掺钪压电层（41）的整体厚度范围为30nm-65nm时，所述第一掺钪压电层（41）的掺钪浓度为0.015-0.019。

5.根据权利要求1所述薄膜浓度掺杂方法，其特征在于，当所述压电层结构为四层掺钪压电子层式压电层时，所述每个所述掺钪压电子层中的掺钪浓度的设置过程包括：

根据第四掺钪压电层（44）的厚度在所述第四掺钪压电层（44）的掺钪浓度范围内设置第四掺钪压电层（44）的掺钪浓度；

根据第三掺钪压电层（43）的厚度在所述第三掺钪压电层（43）的掺钪浓度范围内设置第三掺钪压电层（43）的掺钪浓度；

根据第二掺钪压电层（42）的厚度在所述第二掺钪压电层（42）的掺钪浓度范围内设置第二掺钪压电层（42）的掺钪浓度；

根据第一掺钪压电层（41）的厚度在所述第一掺钪压电层（41）的掺钪浓度范围内设置第一掺钪压电层（41）的掺钪浓度；

其中，所述第一掺钪压电层（41）的掺钪浓度范围为0.015-0.027；所述第二掺钪压电层（42）的掺钪浓度范围为0.013-0.025；所述第三掺钪压电层（43）的掺钪浓度范围为0.012-0.020；所述第四掺钪压电层（44）的掺钪浓度范围为0.008-0.015。