[发明专利]掩模基版、光掩模版及其制备方法

权利要求书

1.一种掩模基版，其特征在于，所述掩模基版包括：

透明基底，包括相对的第一面和第二面；

遮光层，覆盖于所述透明基底的第一面；

以及，覆盖于所述透明基底的第二面上可供至少部分预设的曝光光线透过的上转换功能层，所述上转换功能层包括第一材料和第二材料，所述第一材料包括自由分散的荧光纳米点材料或荧光量子点材料，所述第二材料包括用于增强荧光团层的激发光线的表面等离子体极化金属材料；所述上转换功能层的厚度小于30nm；

其中，预设的曝光光线照射于所述上转换功能层后，至少部分所述曝光光线经过上转换功能层的吸光和放光作用可形成波长比所述曝光光线短的激发光线；透过所述透明基底的混合光线包括所述预设的曝光光线和所述激发光线。

2.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述透明基底包括石英基底。

3.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述表面等离子体极化金属材料为金属薄层材料。

4.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述第二材料的表面等离子体极化金属材料以颗粒状分散于荧光纳米点材料/荧光量子点材料中，或形成核壳结构包裹于荧光纳米点/荧光量子点的表面，或形成独立膜层附着于所述第一材料所形成膜层的上表面或下表面。

5.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，构成所述表面等离子体极化金属材料包括以下任意一种或几种的组合材料：金、银、铋、铟、铅、锡、镍、钴。

6.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述荧光纳米点材料或量子点材料包括在以下任意一种或几种材料中进行离子掺杂而成的纳米晶粒：AlN、SiC、GaN、CdSe/ZnS、LiLuF4。

7.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述上转换功能层包括第一材料和第二材料，所述第一材料包括自由分散的荧光量子点材料CdSe/ZnS，所述第二材料包括表面等离子体极化金属材料，其中表面等离子体极化金属材料覆盖于荧光纳米点/荧光量子点上表面或下表面，或以颗粒状分散于荧光纳米点/荧光量子点中。

8.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述上转换功能层对所述曝光光线的综合透光率为50%以上；

和/或，所述激发光线占所述混合光线总功率的比例小于50%。

9.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述激发光线的波长可选比预设的曝光光线的波长短5%-20%。

10.根据权利要求9所述的掩模基版，其特征在于，所述激发光线的波长优选比预设的曝光光线的波长短10%-15%。

11.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述透明基底为一块基底材料或由两块基底材料粘合而成。

12.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述曝光光线的波长包括以下任意一种波长：193nm，248nm，365nm。

13.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述掩模基版还包括一移相材料层，所述移相材料层位于所述透明基底与所述遮光层之间。

14.一种用于制备如权利要求1~13中任意一项所述掩模基版的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供第一透光基板，所述第一透光基板具有相对的第一面和第二面；

于所述第一透光基板的第一面上形成遮光层；

于所述第一透光基板的第二面上形成上转换功能层。