[发明专利]一种数字可编程的阵列化自旋太赫兹源器件

权利要求书

1.一种数字可编程的阵列化自旋太赫兹源器件，其特征在于，包括：发射装置和调控系统；所述发射装置与所述调控系统一体化连接；

所述发射装置包括图案化阵列，所述图案化阵列包括若干个编码单元；所述发射装置用于发射太赫兹波，所述编码单元包括异质结；

所述异质结包括第一异质结或第二异质结；所述第一异质结从下往上依次由铁磁层和非铁磁层组合而成；所述第二异质结从下往上依次由非铁磁层、铁磁层和非铁磁层组成；所述铁磁层包括二维铁磁材料和铁磁金属，所述非铁磁层包括拓扑绝缘体、拓扑半金属和重金属；

所述调控系统用于通过控制所述若干个编码单元上电流的大小和/或控制所述若干个编码单元上的电流极性的改变来调控太赫兹波。

2.根据权利要求1所述的数字可编程的阵列化自旋太赫兹源器件，其特征在于，所述二维铁磁材料包括：Fe_xGeTe₂、CrTe₂中的一种；

所述铁磁金属包括：Co、Fe和Ni中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的数字可编程的阵列化自旋太赫兹源器件，其特征在于，所述拓扑绝缘体包括：Bi₂Se₃、Bi₂Te₃、Bi_xSb_1-x、Sb₂Te₃和(Bi_xSb_1-x)₂Te₃中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的数字可编程的阵列化自旋太赫兹源器件，其特征在于，所述拓扑半金属包括：WTe₂、WSe₂、PtSe₂、PtTe₂。

5.根据权利要求1所述的数字可编程的阵列化自旋太赫兹源器件，其特征在于，所述重金属包括：W、Ta和Pt中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的数字可编程的阵列化自旋太赫兹源器件，其特征在于，所述调控系统包括金属电极和FPGA；所述金属电极与FPGA电连接。

7.根据权利要求1-6所述的数字可编程的阵列化自旋太赫兹源器件的太赫兹波的调控方法，其特征在于，包括：

控制产生照射于所述发射装置上的激光；

控制产生各所述编码单元对应的电流；所述电流用于输入其所对应的编码单元；

通过控制所述电流的大小和/或控制各所述编码单元上的电流极性的改变来调控太赫兹波。

8.根据权利要求7所述的调控方法，其特征在于，所述控制产生照射于所述发射装置上的激光，包括：控制激光发射器产生照射于所述发射装置上的激光。

9.根据权利要求7所述的调控方法，其特征在于，所述激光为飞秒激光。

10.根据权利要求7所述的调控方法，其特征在于，所述通过控制所述电流的大小和/或控制各所述编码单元上的电流极性的改变来调控太赫兹波，具体包括：

通过改变输入到各所述编码单元上的电流的大小和/或改变编码单元上的电流极性来调控太赫兹波的相位、幅值和波形。