[发明专利]一种无磁感应式位置传感器集成电路

权利要求书

1.一种无磁感应式位置传感器集成电路，包括控制模块、电源模块、信号输入模块、信号处理模块以及信号输出模块，其特征在于：所述控制模块包括主控MCU、晶振电路和配置单元，所述晶振电路和配置单元分别与所述主控MCU通讯相连，所述配置单元包括放大倍数设定部和过滤阈值设定部，所述放大倍数设定部和所述过滤阈值设定部均与所述主控MCU相连，所述电源模块与所述主控MCU通讯相连，所述信号处理模块包括依次相连的差分处理单元和单端处理单元，所述差分处理单元包括差分放大部和信号过滤电路，所述差分放大部的输入端与所述信号输入模块相连，所述差分放大部的输出端与所述信号过滤电路的输入端相连，所述信号过滤电路与所述过滤阈值设定部相连，所述单端处理单元包括差分转单端电路和单端放大电路，所述差分转单端电路的输入端与所述信号过滤电路的输出端相连，所述差分转单端电路的输出端与所述单端放大电路的输入端相连，所述信号输出模块分别与所述主控MCU和所述单端放大电路的输出端相连。

2.根据权利要求1所述的一种无磁感应式位置传感器集成电路，其特征在于：所述信号输入模块包括光敏元件RX1和保护电阻器R1，所述光敏元件RX1的正极与所述保护电阻器R1一端相连，所述光敏元件RX1的负极接地，所述光敏元件RX1的正极和负极分别与所述差分放大部相连，所述保护电阻器R1另一端与所述电源模块相连。

3.根据权利要求1所述的一种无磁感应式位置传感器集成电路，其特征在于：所述差分放大部包括第一级差分放大器U1和第二级差分放大器U2，所述信号过滤电路包括第一信号过滤电路和第二信号过滤电路，所述第一信号过滤电路和所述第二信号过滤电路均与所述过滤阈值设定部相连，所述第一级差分放大器U1的反相输入端输入端和正相输入端分别与所述光敏元件RX1的正极和负极相连，所述第一级差分放大器U1的正相输出端和反相输出端均与所述第一信号过滤电路的输入端相连，所述第二级差分放大器U2的反相输入端和正相输入端均与所述第一信号过滤电路的输出端相连，所述第二级差分放大器U2的正相输出端和反相输出端均与所述第二信号过滤电路的输入端相连，所述第二信号过滤电路的输出端与所述差分转单端电路相连。

4.根据权利要求1所述的一种无磁感应式位置传感器集成电路，其特征在于：所述差分转单端电路包括放大器U3，所述放大器U3的正相输入端和反相输入端均与所述第二信号过滤电路的输出端相连，所述放大器U3的输出端与所述单端放大电路相连。

5.根据权利要求1所述的一种无磁感应式位置传感器集成电路，其特征在于：所述单端放大电路包括放大器U4，所述信号过滤电路还包括第三信号过滤电路，所述放大器U4的反相输入端与所述放大器U3的输出端相连，所述放大器U4的正相输入端与所述第三信号过滤电路相连，所述第三信号过滤电路与所述过滤阈值设定部相连，所述放大器U4的输出端与所述信号输出模块相连。

6.根据权利要求1所述的一种无磁感应式位置传感器集成电路，其特征在于：所述放大器U3的输出端与所述放大器U4的反相输入端之间设置有调节电路所述调节电路包括变阻器VR1，所述放大器U3的输出端和所述放大器U4的反相输入端分别与所述变阻器VR1两端相连。

7.根据权利要求1所述的一种无磁感应式位置传感器集成电路，其特征在于：所述信号输出模块包括输出控制电路、输出电路和NPN/PNP输出电路，所述输出电路和所述NPN/PNP输出电路分别与所述输出控制电路相连，所述输出控制电路分别与所述主控MCU和所述单端放大电路的输出端相连。

8.根据权利要求1所述的一种无磁感应式位置传感器集成电路，其特征在于：所述电源模块包括电源保护单元和电源，所述电源通过所述电源保护单元与所述主控MCU通讯相连，所述电源保护单元包括均分别与所述电源和所述主控MCU相连的电源逆接保护电路、输出逆接保护电路以及输出短路保护电路。