[发明专利]一种负线性率调整率的电流源

权利要求书

1.一种负线性率调整率的电流源，其特征在于，包括偏置电路、乘法器电路、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管；

所述偏置电路的一端、所述第一MOS管的源极、第二MOS管的源极、第三MOS管的源极、第四MOS管的源极和第五MOS管的源极分别与电源相连接；所述偏置电路的另一端通过所述乘法器电路与所述第六MOS管的栅极相连接，所述第三MOS管的漏极与所述第六MOS管的源极相连接，所述第六MOS管的漏极接地；

所述第一MOS管的栅极与所述第二MOS管的栅极相连接，所述第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极分别与所述乘法器电路相连接；

所述第三MOS管的栅极、所述第四MOS管的栅极和第五MOS管的栅极相连接，所述第四MOS管的漏极与所述乘法器电路相连接，所述第五MOS管的漏极为总输出端。

2.根据权利要求1所述的负线性率调整率的电流源，其特征在于：所述偏置电路包括第一电阻、第二电阻、第七MOS管和第八MOS管，所述第一电阻的一端和第八MOS管的源极分别与所述电源相连接，所述第一电阻的另一端分别与所述第七MOS管的源极和第八MOS管的栅极相连接，所述第七MOS管的栅极连接于所述第八MOS管的漏极上并通过所述第二电阻接地，所述第七MOS管的漏极与所述乘法器电路相连接。

3.根据权利要求2所述的负线性率调整率的电流源，其特征在于：所述乘法器电路包括第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管和第三电阻，所述第九MOS管的源极与所述第七MOS管的漏极相连接，所述第十MOS管的源极与所述第九MOS管的漏极相连接，所述第十MOS管的漏极接地；

所述第九MOS管的栅极与所述第十一MOS管的栅极相连，所述第十一MOS管的源极分别与所述第一MOS管的漏极和第四MOS管的漏极相连接，所述第十一MOS管的漏极通过所述第三电阻接地；

所述第十一MOS管的漏极还与所述第十二MOS管的栅极相连接，所述第十二MOS管的源极分别与所述第二MOS管的漏极以及第六MOS管的栅极相连接，所述第十二MOS管的漏极接地。

4.根据权利要求3所述的负线性率调整率的电流源，其特征在于：所述第九MOS管的源极与所述第九MOS管的栅极短接，所述第十MOS管的源极与所述第十MOS管的栅极短接。

5.根据权利要求3所述的负线性率调整率的电流源，其特征在于：所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第七MOS管和第八MOS管均为P沟道结型场效应管，所述第六MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管和第十二MOS管均为N沟道结型场效应管。

6.根据权利要求1所述的负线性率调整率的电流源，其特征在于：所述第一MOS管的栅极和第一MOS管的漏极短接，所述第三MOS管的栅极和第三MOS管的漏极短接。