[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

说明书

提供了半导体器件和制造半导体器件的方法，制造半导体器件的方法包括：在顶部再分布结构上方沉积第一钝化层，顶部再分布结构位于半导体管芯上方；在第一钝化层上方沉积第二钝化层；形成穿过第二钝化层的第一开口，第一开口具有垂直于第一钝化层的侧壁；将第一开口再成形为第二开口，其中，第二开口具有相对于第一钝化层的喇叭形侧壁；形成穿过第一钝化层的第三开口，其中，第三开口具有与喇叭形侧壁不同的斜率；以及用导电材料填充第二开口和第三开口。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。

背景技术

将半导体器件用于各种电子应用中，例如，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，以及使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路组件和元件来制造半导体器件。然后，使用例如外部连接件来将它们连接至其他器件。

半导体行业通过不断减小最小部件尺寸来不断改善各个电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多组件集成到给定区域中，以及允许制作至其他器件的更多连接件。然而，随着用于每个组件的最小部件尺寸减小，出现了应该解决的额外问题。

发明内容

本发明的一些实施例提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在顶部再分布结构上方沉积第一钝化层，顶部再分布结构位于半导体管芯上方；在第一钝化层上方沉积第二钝化层；形成穿过第二钝化层的第一开口，第一开口具有垂直于第一钝化层的侧壁；将第一开口再成形为第二开口，其中，第二开口具有相对于第一钝化层的喇叭形侧壁；形成穿过第一钝化层的第三开口，其中，第三开口具有与喇叭形侧壁不同的斜率；以及用导电材料填充第二开口和第三开口。

本发明的另一些实施例提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括形成穿过第一钝化层的第一开口以暴露第二钝化层，第一开口具有第一侧壁；固化第一钝化层以将第一侧壁的斜率修改为第一斜率；在固化之后，形成穿过第二钝化层的第二开口来暴露再分布结构，再分布结构连接至半导体管芯，其中，第二开口具有第二侧壁，第二侧壁具有与第一斜率不同的第二斜率；以及在第一开口和第二开口内形成外部连接件。

本发明的又一些实施例提供了一种半导体器件，包括：外部连接件，延伸穿过第一钝化层和第二钝化层，其中，外部连接件的侧壁包括：第一部分，与第一钝化层共享第一界面，第一部分具有第一角度；第二部分，与第二钝化层共享第二界面，第二部分具有与第一角度不同的第二角度；再分布结构，与外部连接件和第一钝化层两者物理接触；以及半导体管芯，与再分布结构电连接。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的方面。需要强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据一些实施例的位于再分布结构上方的钝化层的沉积。

图2示出了根据一些实施例的退火工艺。

图3A至图3B示出了根据一些实施例的穿过钝化层的开口的形成。

图4示出了根据一些实施例的晶种层的形成。

图5A至图5B示出了根据一些实施例的凸块下金属的形成。

图6示出了根据一些实施例的晶种层的蚀刻。

图7示出了根据一些实施例的凸块的放置。

图8示出了根据一些实施例的对钝化层使用不同角度的另一实施例。

图9示出了根据一些实施例的没有凸台(ledge)的另一实施例。

具体实施方式