[发明专利]一种(002)晶面间距拓宽及多缺陷MoS2

权利要求书

1.一种(002)晶面间距拓宽及多缺陷MoS₂吸附剂的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)以可溶性钼酸盐、有机硫源、缺陷生成剂为原料，所述可溶性钼酸盐、有机硫源的用量为按照摩尔比Mo∶S＝1∶1.5～4；所述缺陷生成剂为柠檬酸、柠檬酸钠、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯亚胺、三甲基十八烷基氯化铵中的一种或其组合，用量为按照摩尔比缺陷生成剂∶MoS₂＝0.01～0.5∶1；

(2)将去离子水与添加剂混合作为混合溶剂，所述添加剂为氨水、氯化氨、硫酸铵、碳酸铵中的一种或其组合，按照重量份数去离子水∶添加剂＝100∶1～50；将所述原料加入混合溶剂中混合均匀，得到原料浓度为0.05～0.5mol/L的反应溶液；

(3)所述反应溶液在120～220℃温度下进行溶剂热反应，反应时间为8～12h，得到的反应产物用去离子水和无水乙醇各洗涤3～5次，经60～80℃烘干，即得到MoS₂吸附剂粉末材料；

或者，在所述反应溶液中放入多孔无机膜作为支承体进行所述溶剂热反应，制备的MoS₂吸附剂均匀生长于多孔无机膜的表面上，然后用去离子水冲洗5～10min，再用无水乙醇冲洗1～2min，经60～80℃烘干，得到附着在多孔无机膜上的MoS₂吸附剂，即MoS₂-无机膜。

2.根据权利要求1所述的(002)晶面间距拓宽及多缺陷MoS₂吸附剂的制备方法，其特征在于：所述钼酸盐为钼酸铵或钼酸钠，所述有机硫源为硫脲或硫代乙酰胺。

3.利用权利要求1或2所述(002)晶面间距拓宽及多缺陷MoS₂吸附剂的制备方法制得的产品，其特征在于：所述MoS₂吸附剂其(002)晶面间距大于汞离子水合半径。

4.根据权利要求3所述的(002)晶面间距拓宽及多缺陷MoS₂吸附剂的制备方法制得的产品，其特征在于：所述MoS₂吸附剂其(002)晶面间距为0.9～1.5nm。

5.权利要求3或4所述产品的应用，其特征在于：

将所述MoS₂吸附剂粉末材料分散于汞离子初始浓度为10～50mg/L的工业废水中，所述MoS2吸附剂粉末材料∶工业废水＝0.5～5g∶1L，搅拌10～60min进行吸附处理，处理后的废水中汞离子的浓度＜0.001mg/L；或者，

使汞离子初始浓度为10～50mg/L的工业废水流经所述MoS₂-无机膜进行吸附处理，工业废水的流速为50～200mL/min，处理时间为15～30min，处理后的废水中汞离子浓度＜0.001mg/L。