[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成延伸穿过第一介电层的金属线，其中，所述金属线电耦合到晶体管；

在所述金属线上方选择性地沉积牺牲材料；

在所述第一介电层上方并且邻近所述牺牲材料选择性地沉积第一介电材料；

在所述第一介电材料上方选择性地沉积第二介电材料；

去除所述牺牲材料以形成暴露所述金属线的第一凹槽；以及

形成位于所述第一凹槽中并且电耦合到所述金属线的金属通孔。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在选择性地沉积所述第一介电材料之后回蚀刻所述牺牲材料，其中，所述第二介电材料沿着所述第一介电材料的顶表面和侧表面沉积。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，使用氧等离子体回蚀刻所述牺牲材料。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述牺牲材料至少部分地沉积在所述第一介电层上，并且其中，通过回蚀刻所述牺牲材料来去除在所述第一介电层上延伸的所述牺牲材料的部分。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第二介电材料和所述牺牲材料上方沉积第二介电层；以及

在去除所述牺牲材料之前蚀刻所述第二介电层。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在去除所述牺牲材料之后，在所述第二介电材料、所述第一介电材料和所述金属线上方沉积第二介电层；以及

在形成所述金属通孔之前蚀刻所述第二介电层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，使用氧等离子体去除所述牺牲材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一介电材料具有小于所述第二介电材料的第二介电常数的第一介电常数。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

在第一介电层中形成第一导电部件，其中，所述第一导电部件电耦合到晶体管；

在所述第一介电层上方选择性地沉积第一介电材料；

在所述第一导电部件上方并且邻近所述第一介电材料选择性地沉积牺牲材料；

在所述第一介电材料上方选择性地沉积第二介电材料，其中，所述第一介电材料的第一介电常数小于所述第二介电材料的第二介电常数；

在所述第二介电材料、所述第一介电材料和所述第一导电部件上方沉积第二介电层；

蚀刻所述第二介电层以形成第一凹槽；以及

形成位于所述第一凹槽中并且电耦合到晶体管的第二导电部件。

10.一种半导体器件，包括：

第一介电层，位于半导体衬底上；

金属线，延伸穿过所述第一介电层并且电耦合到晶体管；

第二介电层，沿着所述第一介电层的第一顶表面延伸；

第三介电层，沿着所述第二介电层的相对侧壁和第二顶表面延伸；

第四介电层，沿着所述第三介电层的第三顶表面延伸；以及

金属通孔，延伸穿过所述第四介电层和所述第三介电层，其中，所述金属通孔电耦合到所述金属线，其中，所述金属通孔沿着所述第三介电层的所述第三顶表面延伸，其中，所述第三介电层将所述第二介电层与所述金属通孔分离。