[发明专利]一种倒装深紫外发光二极管芯片

权利要求书

1.一种倒装深紫外发光二极管芯片，其特征在于：包括区块式排列于一衬底上的若干发光二极管和覆盖所述若干发光二极管的绝缘层；各发光二级管分别包括半导体发光堆叠层、第一电极和第二电极，所述若干发光二极管通过电极连接形成串联的结构，并在电极连接处下方设有电子阻挡层；所述绝缘层对应串联的若干发光二极管两末端的电极设有开口，两末端的电极通过所述开口引出并与设于所述绝缘层上的第一焊盘和第二焊盘一一对应连接。

2.根据权利要求1所述的倒装深紫外发光二极管芯片，其特征在于：所述半导体发光堆叠层由上至下包括依次层叠的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层；第一半导体层和第二半导体层之一为p型掺杂层，另一为n型掺杂层；所述第一电极设于所述第一半导体层上，所述第二电极设于所述第二半导体层的台面上。

3.根据权利要求2所述的倒装深紫外发光二极管芯片，其特征在于：所述串联的结构是：一发光二极管的第二电极与相邻发光二极管的第一电极之间通过金属连接层电性连接，所述金属连接层与所述半导体发光堆叠层之间通过所述电子阻挡层隔开。

4.根据权利要求3所述的倒装深紫外发光二极管芯片，其特征在于：所述金属连接层的厚度为1500～1800nm。

5.根据权利要求1所述的倒装深紫外发光二极管芯片，其特征在于：所述电子阻挡层的材料是硅胶、玻璃、氧化铝、氮化硅、氧化硅、氧化钛或氟化镁，厚度为800-2200nm。

6.根据权利要求1所述的倒装深紫外发光二极管芯片，其特征在于：还包括设于所述第一半导体层和所述第一电极之间的透明导电层，所述透明导电层的材料是铟锡氧化物、锌铟氧化物、氧化铟、氧化锡、镉锡氧化物、锡锑氧化物、铝锌氧化物、锌锡氧化物、氧化锌掺杂镓、氧化铟掺杂钨或氧化锌，厚度为5～500nm。

7.根据权利要求1所述的倒装深紫外发光二极管芯片，其特征在于：所述第一电极和所述第二电极的材料选自Cr、Pt、Au、Ni、Ti、Al、PtAu中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的倒装深紫外发光二极管芯片，其特征在于：所述绝缘层的材料是二氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化钽、氧化铌、钛酸钡中的一种或组合。

9.根据权利要求1所述的倒装深紫外发光二极管芯片，其特征在于：包括4个或6个区块式矩阵排列并形成串联的结构的所述发光二极管。

10.根据权利要求1所述的倒装深紫外发光二极管芯片，其特征在于：所述发光二极管的发光波长范围为220nm～320nm。