[发明专利]清洗溶液的监测方法及其监测系统在审
| 申请号： | 202210815230.8 | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN114914167A | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 唐斌;张志敏;朱红波;龙思阳;余威明 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洗 溶液 监测 方法 及其 系统 | ||
1.一种清洗溶液的监测方法，其特征在于，包括：
提供一裸硅晶圆，将所述裸硅晶圆放入含有双氧水的清洗溶液中清洗，所述裸硅晶圆的表面自然形成介质层；
检测所述裸硅晶圆表面的所述介质层的厚度，并判断所述介质层的厚度是否位于所述介质层的目标厚度范围内，若否，则认定所述清洗溶液的配方异常。
2.如权利要求1所述的清洗溶液的监测方法，其特征在于，所述清洗溶液的配方异常包括所述清洗溶液内混入氢氟酸溶液或者BOE溶液。
3.如权利要求1所述的清洗溶液的监测方法，其特征在于，检测到所述介质层的厚度异常后，报警设备发出报警声音，提醒操作人员更换清洗溶液。
4.如权利要求1所述的清洗溶液的监测方法，其特征在于，所述介质层的目标厚度范围为7.7埃-8.3埃。
5.如权利要求1-4任一项所述的清洗溶液的监测方法，其特征在于，所述介质层为氧化层。
6.如权利要求1所述的清洗溶液的监测方法，其特征在于，所述清洗溶液包括SPM、SC1或者SC2中的一种。
7.如权利要求1所述的清洗溶液的监测方法，其特征在于，采用扫描电子显微镜或者椭偏仪检测所述裸硅晶圆表面的所述介质层的厚度。
8.如权利要求1所述的清洗溶液的监测方法，其特征在于，所述裸硅晶圆放入含有双氧水的清洗溶液中清洗时间为4min-6min。
9.一种清洗溶液的监测系统，其特征在于，包括：
清洗设备，用于利用含有双氧水的清洗溶液去除裸硅晶圆表面的微粒并在所述裸硅晶圆表面生成介质层；
检测设备，用于检测所述裸硅晶圆表面的介质层是否低于所述介质层的目标厚度；
控制设备，用于判断所述介质层的厚度是否位于所述介质层的目标厚度范围内，若否，则认定所述清洗溶液的配方异常。
10.如权利要求9所述的清洗溶液的监测系统，其特征在于，所述清洗溶液的监测系统还包括报警设备，所述检测设备检测到异常信息后将异常信息传送给所述控制设备，所述控制设备触发报警设备发出报警信息，提醒操作人员更换清洗溶液。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
